PCIe® 3.0 數(shù)據(jù)包切換器PI7C9X3G808GP，能夠提供現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、云端運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)附加儲(chǔ)存設(shè)備 (NAS) 和電信基礎(chǔ)設(shè)施所要求的高效能參數(shù)。

這款數(shù)據(jù)包切換器支持 8 通道操作，支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)發(fā) (store and forward) 模式，支持小于 150ns (典型值) 的數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)延遲。

切換器中嵌入了多個(gè)直接內(nèi)存訪問(wèn) (DMA) 通道，盡量提高單一主機(jī) (或多部主機(jī)) 與相連的端點(diǎn)之間通訊作業(yè)效率。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:20 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數(shù):12.5 mV/C 齊納電流:0.1 uA Zz - 齊納阻抗:55 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 寬度:2.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV 單位重量:8 mg

第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。

與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對(duì)于給定RDS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。

級(jí)聯(lián)配置無(wú)需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路，加快了產(chǎn)品上市速度。

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