SiC元器件和硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)源極間額定電壓
發(fā)布時間:2021/5/10 19:19:49 訪問次數(shù):683
電源電路，開發(fā)出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術(shù)。
近年來，在服務器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標準。
產(chǎn)品的電磁兼容性符合安規(guī)標準，無需外部組件可符合EN55032 B級傳導和輻射標準，并提供抗擾度以滿足EN61000-4標準。安規(guī)符合UL/EN/IEC62368-1標準。
ASB75產(chǎn)品的基板工作溫度范圍為-40°C至+85°C，適用于各種應用環(huán)境，而全封裝提高了惡劣環(huán)境和需要堅固設備的應用中的可靠性。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
電源電路，開發(fā)出針對150V耐壓GaN HEMT*1（以下稱“GaN器件”）的、高達8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）*2技術(shù)。
近年來，在服務器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設備的需求日益增長，功率轉(zhuǎn)換效率的提升和設備的小型化已經(jīng)成為重要的社會課題之一，而這就要求功率元器件的進一步發(fā)展與進步。
ROHM一直在大力推動業(yè)內(nèi)先進的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢的硅元器件的開發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開發(fā)。
ASB75系列的空載電流損耗功率小于150mW，大大減少了終端設備的備用電源需求，使其能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的現(xiàn)代效率標準。
產(chǎn)品的電磁兼容性符合安規(guī)標準，無需外部組件可符合EN55032 B級傳導和輻射標準，并提供抗擾度以滿足EN61000-4標準。安規(guī)符合UL/EN/IEC62368-1標準。
ASB75產(chǎn)品的基板工作溫度范圍為-40°C至+85°C，適用于各種應用環(huán)境，而全封裝提高了惡劣環(huán)境和需要堅固設備的應用中的可靠性。
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