QPG6100通信控制器16V輸入18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器
發(fā)布時(shí)間:2021/5/14 8:59:36 訪問次數(shù):574
MAX77831是2.5V到16V輸入18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器.
采用內(nèi)部反饋電阻時(shí),器件默認(rèn)輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時(shí)可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.
MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開關(guān)頻率為1.8MHz,通過I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過流保護(hù)(OCP),過壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).
器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引腳WLP封裝.主要用在高達(dá)16V輸入的非電池供電應(yīng)用和具有EN控制的高達(dá)16V輸入的電池供電的應(yīng)用.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-363-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:200 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 長度:2.2 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:1.35 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns 典型接通延遲時(shí)間:20 ns 單位重量:6 mg
通信控制器---QPG6100,旨在實(shí)現(xiàn)多個(gè)超低功耗無線協(xié)議的同步支持。
Qorvo 新推出的QPG6100通信控制器適用于物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備,采用了公司的ConcurrentConnectTM技術(shù)---該創(chuàng)新技術(shù)可加快通信速度,提高家庭網(wǎng)絡(luò)容量和可擴(kuò)展性,并允許制造商創(chuàng)造面向未來的互聯(lián)設(shè)備(如照明和智能家居傳感器)。
技術(shù)支持同時(shí)運(yùn)行多臺(tái)智能設(shè)備,無論其使用哪種主要無線標(biāo)準(zhǔn),從而有助于消除智能家居的發(fā)展障礙。
IDC 預(yù)測,家庭自動(dòng)化設(shè)備和服務(wù)將繼續(xù)普及,預(yù)計(jì)到 2024 年,智能家居設(shè)備的全球銷量將達(dá)到 14 億臺(tái),五年復(fù)合年增長率為 14%。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MAX77831是2.5V到16V輸入18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器.
采用內(nèi)部反饋電阻時(shí),器件默認(rèn)輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時(shí)可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.
MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開關(guān)頻率為1.8MHz,通過I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過流保護(hù)(OCP),過壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).
器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引腳WLP封裝.主要用在高達(dá)16V輸入的非電池供電應(yīng)用和具有EN控制的高達(dá)16V輸入的電池供電的應(yīng)用.
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-363-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:200 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 長度:2.2 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:1.35 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:100 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns 典型接通延遲時(shí)間:20 ns 單位重量:6 mg
通信控制器---QPG6100,旨在實(shí)現(xiàn)多個(gè)超低功耗無線協(xié)議的同步支持。
Qorvo 新推出的QPG6100通信控制器適用于物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備,采用了公司的ConcurrentConnectTM技術(shù)---該創(chuàng)新技術(shù)可加快通信速度,提高家庭網(wǎng)絡(luò)容量和可擴(kuò)展性,并允許制造商創(chuàng)造面向未來的互聯(lián)設(shè)備(如照明和智能家居傳感器)。
技術(shù)支持同時(shí)運(yùn)行多臺(tái)智能設(shè)備,無論其使用哪種主要無線標(biāo)準(zhǔn),從而有助于消除智能家居的發(fā)展障礙。
IDC 預(yù)測,家庭自動(dòng)化設(shè)備和服務(wù)將繼續(xù)普及,預(yù)計(jì)到 2024 年,智能家居設(shè)備的全球銷量將達(dá)到 14 億臺(tái),五年復(fù)合年增長率為 14%。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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