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負(fù)載檢測(cè)技術(shù)集成式快速開(kāi)關(guān)50A IGBT的關(guān)斷性能

發(fā)布時(shí)間:2021/5/16 18:59:46 訪問(wèn)次數(shù):314

集成式快速開(kāi)關(guān)50 A IGBT的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與MOSFET媲美。

較之常規(guī)的碳化硅MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn)95%至97%的系統(tǒng)效率。

此外,CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言,該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件,損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求,該二極管還能降低系統(tǒng)成本,帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

FET 類(lèi)型N 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)72A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)22 毫歐 @ 44A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)375W(Tc)工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類(lèi)型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝D2PAK封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB漏源電壓(Vdss)200V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)5380pF @ 50V

借助于負(fù)載檢測(cè)技術(shù),對(duì)于負(fù)載波動(dòng)的情況,通過(guò)變頻器自身傳感器觀察,并做出自適應(yīng)調(diào)節(jié),從而使負(fù)載穩(wěn)定地運(yùn)行。

PowerFlex 6000T中壓變頻器可與羅克韋爾自動(dòng)化控制系統(tǒng)無(wú)縫集成,支持統(tǒng)一友好的軟件環(huán)境Studio5000。

統(tǒng)一的軟件平臺(tái)可以更簡(jiǎn)單,更快速地對(duì)自動(dòng)化系統(tǒng)設(shè)計(jì),集成和維護(hù);此外,該系列變頻器配有直觀、易用的10英寸彩色觸摸屏。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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此外,CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言,該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件,損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求,該二極管還能降低系統(tǒng)成本,帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

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借助于負(fù)載檢測(cè)技術(shù),對(duì)于負(fù)載波動(dòng)的情況,通過(guò)變頻器自身傳感器觀察,并做出自適應(yīng)調(diào)節(jié),從而使負(fù)載穩(wěn)定地運(yùn)行。

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