雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021/5/18 12:35:59 訪問(wèn)次數(shù):249
電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。
單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。
它的創(chuàng)新設(shè)計(jì)包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺(tái)腔體設(shè)計(jì)和低電容耦合3D線圈設(shè)計(jì)，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)可最大程度減弱非中心對(duì)稱抽氣口效應(yīng)，通過(guò)采用多區(qū)溫控靜電吸盤(pán)（ESC）增強(qiáng)了對(duì)關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 每個(gè)通道的輸出電流:20 mA Vos - 輸入偏置電壓 :7 mV 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:250 nA CMRR - 共模抑制比:80 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 輸入類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 商標(biāo):Texas Instruments 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:3 V to 32 V 單位重量:180 mg
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號(hào)也使用了ODT。
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®,用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。
單臺(tái)反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺(tái)反應(yīng)器的Primo平臺(tái)，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價(jià)比的刻蝕解決方案。
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BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號(hào)能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個(gè)完全獨(dú)立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
在DDR5新技術(shù)應(yīng)用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號(hào)也使用了ODT。
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