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功率MOSFET內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中電感量之和

發(fā)布時間:2021/5/19 8:57:11 訪問次數(shù):864

輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。

使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小,會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起,而控制芯片的GND與真正的地平面在一起,這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅(qū)動器的輸入端,則有一個負(fù)向的偏置電壓。

對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,可以通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 每個通道的輸出電流:25 mA Vos - 輸入偏置電壓 :6 mV 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:200 nA 工作電源電流:2.4 mA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 長度:8.64 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:3.91 mm 商標(biāo):Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.52 pA/sqrt Hz 最大雙重電源電壓:+/- 18 V 最小雙重電源電壓:+/- 5 V 工作電源電壓:10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:104.08 dB 單位重量:715.250 mg

Lss代表寄生電感。寄生電感值約等于功率MOSFET的內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。

從上面等式可以看出,負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。

ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。

使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小,會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起,而控制芯片的GND與真正的地平面在一起,這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅(qū)動器的輸入端,則有一個負(fù)向的偏置電壓。

對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,可以通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運算放大器 - 運放 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-14 每個通道的輸出電流:25 mA Vos - 輸入偏置電壓 :6 mV 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:200 nA 工作電源電流:2.4 mA CMRR - 共模抑制比:90 dB 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 長度:8.64 mm 產(chǎn)品:Operational Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:3.91 mm 商標(biāo):Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.52 pA/sqrt Hz 最大雙重電源電壓:+/- 18 V 最小雙重電源電壓:+/- 5 V 工作電源電壓:10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 2500 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:104.08 dB 單位重量:715.250 mg

Lss代表寄生電感。寄生電感值約等于功率MOSFET的內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。

從上面等式可以看出,負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。

這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。

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