功率MOSFET內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中電感量之和
發(fā)布時間:2021/5/19 8:57:11 訪問次數(shù):864
輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。
使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小,會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起,而控制芯片的GND與真正的地平面在一起,這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅(qū)動器的輸入端,則有一個負(fù)向的偏置電壓。
對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,可以通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。
Lss代表寄生電感。寄生電感值約等于功率MOSFET的內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。
從上面等式可以看出,負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。
這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。
ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
輸入負(fù)壓的場景與對MOSFET進(jìn)行電流采樣相關(guān)。
使MOSFET的驅(qū)動環(huán)路足夠小,會將驅(qū)動器的GND引腳與MOSFET的源極連接在一起,而控制芯片的GND與真正的地平面在一起,這樣驅(qū)動器的GND和控制芯片GND之間就會存在一個偏置電壓,因此控制芯片輸出低電平時,相對于驅(qū)動器的輸入端,則有一個負(fù)向的偏置電壓。
對于寄生電感引起的輸入瞬間負(fù)壓,可以通過減小開關(guān)速度來降低影響,減小開關(guān)速度能降低電流變化速率di/dt,瞬間負(fù)壓幅度也就會下降。
Lss代表寄生電感。寄生電感值約等于功率MOSFET的內(nèi)部鍵合線和PCB回線接地回路中的電感量之和,其值可以從幾nH至十幾nH不等,寄生電感大小主要取決于PCB布局布線。
從上面等式可以看出,負(fù)向電壓與寄生電感和電流變化率均成正比。
這款高性能的二階調(diào)制器能將模擬輸入信號轉(zhuǎn)換為高速、單比特的數(shù)據(jù)流,并且芯片內(nèi)置了采用Analog Devices iCoupler®技術(shù)的數(shù)字隔離功能。
ADuM7704 Sigma-Delta調(diào)制器。
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