不上電和無矢量測試技術(shù)控制芯片與功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2021/5/19 8:52:57 訪問次數(shù):213
低邊驅(qū)動器用在控制芯片與功率MOSFET之間,以幫助減小開關(guān)損耗,并為MOSFET提供足夠的驅(qū)動電流,以跨過米勒平臺區(qū)域,實(shí)現(xiàn)快速打開。
在開關(guān)MOSFET的時(shí)候,有一個高di/dt的脈沖產(chǎn)生,這種快速變化與寄生電感共同作用,產(chǎn)生了負(fù)電壓峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
在典型的低邊柵極驅(qū)動電路中,雖然控制器和功率MOSFET使用同一個直流地平面作為參考,但一些情況下,由于驅(qū)動器和控制器有一定距離,所以總會存在寄生電感。
新款 Keysight i7090 具有以下重要優(yōu)勢:
配備 20 個并行內(nèi)核,可提供靈活的可擴(kuò)展性和配置方式,能夠同時(shí)對多個被測器件執(zhí)行測試。
系統(tǒng)體積小,僅寬 600 毫米,為您節(jié)省寶貴的測試空間和測試周期。
支持大規(guī)模到超大規(guī)模電路板檢測,可以減少系統(tǒng)投資,改善電路板測試時(shí)間。
不上電和無矢量測試技術(shù)(VTEP)帶來更快的測試速度、更低的夾具成本和更高的故障覆蓋率。
儀器與 Keysight OpenTAP軟件集成在同一個平臺中,可提供高效的功能測試測量;其 PXI 體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可支持是德科技和第三方的儀器。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
低邊驅(qū)動器用在控制芯片與功率MOSFET之間,以幫助減小開關(guān)損耗,并為MOSFET提供足夠的驅(qū)動電流,以跨過米勒平臺區(qū)域,實(shí)現(xiàn)快速打開。
在開關(guān)MOSFET的時(shí)候,有一個高di/dt的脈沖產(chǎn)生,這種快速變化與寄生電感共同作用,產(chǎn)生了負(fù)電壓峰值,可以用Vn = Lss* di/dt公式估算。
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配備 20 個并行內(nèi)核,可提供靈活的可擴(kuò)展性和配置方式,能夠同時(shí)對多個被測器件執(zhí)行測試。
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不上電和無矢量測試技術(shù)(VTEP)帶來更快的測試速度、更低的夾具成本和更高的故障覆蓋率。
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(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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