DOE Level VI規(guī)定四級(jí)最低平均工作能效和待機(jī)功耗低于40mW要求
發(fā)布時(shí)間:2021/5/21 8:09:32 訪問(wèn)次數(shù):752
設(shè)計(jì)IoT和電池供電傳感器時(shí),工程師必須確保系統(tǒng)具有較長(zhǎng)的電池工作壽命,同時(shí)提供實(shí)際電壓、應(yīng)力和壓力等信號(hào)的高精度測(cè)量。
苛刻的功率預(yù)算要求這些傳感器一次性達(dá)到高精度測(cè)量,很難實(shí)施校準(zhǔn)過(guò)程。此外,工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用要求這些傳感器能夠承受極端的溫度、濕度和機(jī)械上隨意操作等極端物理?xiàng)l件。
這個(gè)參考設(shè)計(jì)讓用戶(hù)可以快速開(kāi)發(fā)USB快充電源適配器,滿(mǎn)足歐盟能效標(biāo)準(zhǔn)European CoC V5 Tier-2和美國(guó)能效標(biāo)準(zhǔn)DOE Level VI規(guī)定的四級(jí)最低平均工作能效和待機(jī)功耗低于40mW的要求。
制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV Qg-柵極電荷:6.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 系列:ZXMN2A1 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 類(lèi)型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:9.5 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:5.3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16.6 ns 典型接通延遲時(shí)間:4 ns 單位重量:8 mg
在數(shù)字電視、5G、Wi-Fi和藍(lán)牙設(shè)備中,EFG3和FS兩個(gè)系列不僅可吸收輻射噪聲,而且還可防止準(zhǔn)微波范圍干擾、靜電放電以及由噪聲源引起的靈敏度降低(desense)。
這兩個(gè)系列最適合于需要小尺寸設(shè)計(jì)便攜式互聯(lián)設(shè)備和裝置,包括手機(jī),數(shù)碼相機(jī)和汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)。
此外,F(xiàn)LEX SUPPRESSOR還可以柔性帶材的形式供貨,從而代替笨重的鐵氧體磁芯來(lái)抑制噪聲,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更智能、更輕便的電纜設(shè)計(jì)。
FLEX SUPPRESSOR這種柔性片材可針對(duì)任何設(shè)計(jì)切割成各種自定義形狀。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
設(shè)計(jì)IoT和電池供電傳感器時(shí),工程師必須確保系統(tǒng)具有較長(zhǎng)的電池工作壽命,同時(shí)提供實(shí)際電壓、應(yīng)力和壓力等信號(hào)的高精度測(cè)量。
苛刻的功率預(yù)算要求這些傳感器一次性達(dá)到高精度測(cè)量,很難實(shí)施校準(zhǔn)過(guò)程。此外,工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用要求這些傳感器能夠承受極端的溫度、濕度和機(jī)械上隨意操作等極端物理?xiàng)l件。
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制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.1 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV Qg-柵極電荷:6.6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長(zhǎng)度:3.04 mm 系列:ZXMN2A1 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 類(lèi)型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:9.5 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:5.3 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:16.6 ns 典型接通延遲時(shí)間:4 ns 單位重量:8 mg
在數(shù)字電視、5G、Wi-Fi和藍(lán)牙設(shè)備中,EFG3和FS兩個(gè)系列不僅可吸收輻射噪聲,而且還可防止準(zhǔn)微波范圍干擾、靜電放電以及由噪聲源引起的靈敏度降低(desense)。
這兩個(gè)系列最適合于需要小尺寸設(shè)計(jì)便攜式互聯(lián)設(shè)備和裝置,包括手機(jī),數(shù)碼相機(jī)和汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)。
此外,F(xiàn)LEX SUPPRESSOR還可以柔性帶材的形式供貨,從而代替笨重的鐵氧體磁芯來(lái)抑制噪聲,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更智能、更輕便的電纜設(shè)計(jì)。
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