單獨(dú)分?jǐn)?shù)N射頻頻率和時(shí)鐘合成器在Alveo加速器卡上快速打造
發(fā)布時(shí)間:2021/5/21 19:58:54 訪問(wèn)次數(shù):210
最大接收器帶寬200MHz,最大發(fā)送器大信號(hào)帶寬為200MHz,最大觀察接收器帶寬為450MHz,最大發(fā)送器合成器帶寬為450MHz,全集成單獨(dú)分?jǐn)?shù)N射頻頻率合成器和全集成的時(shí)鐘合成器,用于所有本地振蕩器和基帶時(shí)鐘的多相同步.
器件具有24.33 Gbps JESD204B/JESD204C數(shù)字接口,支持TDD和FDD應(yīng)用.
ADRV9029采用14mmx14mm 289凸的CSP_BGA封裝.主要用在3G/4G/5G TDD和FDD大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO), 宏小區(qū)和小小區(qū)基站.
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:115 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列:2N700/2N7002 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay / Siliconix 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:2N7002-E3 單位重量:8 mg
為了提升網(wǎng)絡(luò)帶寬和針對(duì)人工智能與實(shí)時(shí)分析等工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化，數(shù)據(jù)中心紛紛進(jìn)行轉(zhuǎn)型。
這些復(fù)雜、計(jì)算密集且持續(xù)演進(jìn)的工作負(fù)載正將現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施推向性能極限，并推動(dòng)了對(duì)完全可組合的軟件定義硬件加速器的需求。
smart world（智能世界）AI視頻分析解決方案，面向最嚴(yán)苛的AI視頻應(yīng)用提供確定性的低時(shí)延性能.
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
最大接收器帶寬200MHz,最大發(fā)送器大信號(hào)帶寬為200MHz,最大觀察接收器帶寬為450MHz,最大發(fā)送器合成器帶寬為450MHz,全集成單獨(dú)分?jǐn)?shù)N射頻頻率合成器和全集成的時(shí)鐘合成器,用于所有本地振蕩器和基帶時(shí)鐘的多相同步.
器件具有24.33 Gbps JESD204B/JESD204C數(shù)字接口,支持TDD和FDD應(yīng)用.
ADRV9029采用14mmx14mm 289凸的CSP_BGA封裝.主要用在3G/4G/5G TDD和FDD大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO), 宏小區(qū)和小小區(qū)基站.
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:115 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.5 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 系列:2N700/2N7002 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay / Siliconix 正向跨導(dǎo) - 最小值:80 mS 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:2N7002-E3 單位重量:8 mg
為了提升網(wǎng)絡(luò)帶寬和針對(duì)人工智能與實(shí)時(shí)分析等工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化，數(shù)據(jù)中心紛紛進(jìn)行轉(zhuǎn)型。
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