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RV1126單顆芯片SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5V至21V

發(fā)布時間:2021/5/18 22:14:15 訪問次數(shù):859


RV1126車載視覺方案的產(chǎn)品,其車載錄像性能可提升一倍。目前,市場大部分其他方案通常只能支持4路720P視頻錄像,而RV1126單顆芯片,即可支持8路1080p視頻錄像,無需額外增加芯片成本。

此外,在強大性能支撐下,RV1126支持回放同步視頻錄制功能,多線程操作,監(jiān)管更高效。

RV1126內(nèi)置獨立NPU,提供2T算力,可支持ADAS(前車預警)、DMS(駕駛員疲勞檢測)、BSD(盲區(qū)檢測算法)等系統(tǒng),AI運算更高效,監(jiān)測及預警功能執(zhí)行更準確,操作不卡頓。而其他同類方案大多沒有獨立AI硬件,用CPU執(zhí)行AI運算,導致效率大打折扣。


制造商: Micron Technology

產(chǎn)品種類: NAND閃存

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-48

系列: MT29F

存儲容量: 2 Gbit

接口類型: Parallel

組織: 256 M x 8

定時類型: Asynchronous

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電流—最大值: 35 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tray

產(chǎn)品: NAND Flash

商標: Micron

有源讀取電流(最大值): 35 mA

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: NAND Flash

工廠包裝數(shù)量: 960

子類別: Memory & Data Storage

SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V(如表中所示),開關頻率高達2 MHz。


采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案,電流報告精度為7 %,而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進行檢測,精度誤差小于3 %。

從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)(SoC)性能,改進熱管理。

器件適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)




RV1126車載視覺方案的產(chǎn)品,其車載錄像性能可提升一倍。目前,市場大部分其他方案通常只能支持4路720P視頻錄像,而RV1126單顆芯片,即可支持8路1080p視頻錄像,無需額外增加芯片成本。

此外,在強大性能支撐下,RV1126支持回放同步視頻錄制功能,多線程操作,監(jiān)管更高效。

RV1126內(nèi)置獨立NPU,提供2T算力,可支持ADAS(前車預警)、DMS(駕駛員疲勞檢測)、BSD(盲區(qū)檢測算法)等系統(tǒng),AI運算更高效,監(jiān)測及預警功能執(zhí)行更準確,操作不卡頓。而其他同類方案大多沒有獨立AI硬件,用CPU執(zhí)行AI運算,導致效率大打折扣。


制造商: Micron Technology

產(chǎn)品種類: NAND閃存

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-48

系列: MT29F

存儲容量: 2 Gbit

接口類型: Parallel

組織: 256 M x 8

定時類型: Asynchronous

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電流—最大值: 35 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tray

產(chǎn)品: NAND Flash

商標: Micron

有源讀取電流(最大值): 35 mA

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: NAND Flash

工廠包裝數(shù)量: 960

子類別: Memory & Data Storage

SiC8xx功率模塊輸入電壓為4.5 V至21 V(如表中所示),開關頻率高達2 MHz。


采用電感器DCR監(jiān)控功耗的解決方案,電流報告精度為7 %,而SiC8xx系列器件采用低邊MOSFET進行檢測,精度誤差小于3 %。

從而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大電流處理器和片上系統(tǒng)(SoC)性能,改進熱管理。

器件適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)



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