WLR089U0模塊具有低至790 nA的超低功耗休眠電流
發(fā)布時間:2021/5/22 21:25:16 訪問次數(shù):318
WLR089U0LoRa sub-GHz模塊。WLR089U0模塊具有低至790 nA的超低功耗休眠電流，為電池供電遠程傳感應用提供了理想的解決方案，如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設備和智慧城市解決方案。
WLR089U0模塊搭載了32位Arm® Cortex®-M0+處理器，以及256 KB閃存和40 KB SRAM（包括8 KB電池供電SRAM）。
此高度可配置的模塊擁有豐富多樣的外設，其中包括7個12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 通道、多達4個串行通信接口和2個模擬比較器。
制造商:Lattice產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:MachXO3LF系列:MachXO3邏輯元件數(shù)量:4320 LE自適應邏輯模塊 - ALM:2150 ALM嵌入式內(nèi)存:92 kbit輸入/輸出端數(shù)量:335 I/O工作電源電壓:2.5 V/3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:BGA-400數(shù)據(jù)速率:900 Mb/s商標:Lattice分布式RAM:34 kbit內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:92 kbit最大工作頻率:400 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:540 LAB工作電源電流:12.87 mA產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array工廠包裝數(shù)量:90子類別:Programmable Logic ICs商標名:MachXO3單位重量:15 g
利用ROHM的碳化硅MOSFET來提高效率和降低系統(tǒng)成本。
四款產(chǎn)品--霍克斯灣600VDC至48VDC 6000W MPPT太陽能充電控制器、功能強大的巴塞羅那雙MPPT充電控制器、MMB17先進的基于電池的充電器/逆變器以及120/240V Rosie逆變器/充電器，都得益于ROHM的SiC技術的高性能和成熟的可靠性。
與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價大幅下降，使得更多的應用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價值。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
WLR089U0LoRa sub-GHz模塊。WLR089U0模塊具有低至790 nA的超低功耗休眠電流，為電池供電遠程傳感應用提供了理想的解決方案，如物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設備和智慧城市解決方案。
WLR089U0模塊搭載了32位Arm® Cortex®-M0+處理器，以及256 KB閃存和40 KB SRAM（包括8 KB電池供電SRAM）。
此高度可配置的模塊擁有豐富多樣的外設，其中包括7個12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 通道、多達4個串行通信接口和2個模擬比較器。
制造商:Lattice產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場可編程門陣列RoHS: 詳細信息產(chǎn)品:MachXO3LF系列:MachXO3邏輯元件數(shù)量:4320 LE自適應邏輯模塊 - ALM:2150 ALM嵌入式內(nèi)存:92 kbit輸入/輸出端數(shù)量:335 I/O工作電源電壓:2.5 V/3.3 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:BGA-400數(shù)據(jù)速率:900 Mb/s商標:Lattice分布式RAM:34 kbit內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:92 kbit最大工作頻率:400 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:540 LAB工作電源電流:12.87 mA產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array工廠包裝數(shù)量:90子類別:Programmable Logic ICs商標名:MachXO3單位重量:15 g
利用ROHM的碳化硅MOSFET來提高效率和降低系統(tǒng)成本。
四款產(chǎn)品--霍克斯灣600VDC至48VDC 6000W MPPT太陽能充電控制器、功能強大的巴塞羅那雙MPPT充電控制器、MMB17先進的基于電池的充電器/逆變器以及120/240V Rosie逆變器/充電器，都得益于ROHM的SiC技術的高性能和成熟的可靠性。
與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價大幅下降，使得更多的應用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統(tǒng)性能和價值。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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