碳化硅解決了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)，普通硅MOSFET的體二極管速度非常慢。

因此，試圖使逆變器作為充電器工作，它必須雙向運(yùn)行是非常困難的。我們正在考慮將IGBT對(duì)與另一個(gè)二極管結(jié)合起來(lái)，但碳化硅是一個(gè)如此好的解決方案，而且ROHM的器件不需要任何重大的設(shè)計(jì)改變，所以它是一個(gè)明顯的選擇。

Midnite太陽(yáng)能公司在其新的太陽(yáng)能產(chǎn)品系列中納入了ROHM的60mΩ RDS(on)SiC器件和較新的30mΩ RDS(on)產(chǎn)品。

制造商:Microchip 產(chǎn)品種類:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 接口類型:3-Wire, Microwire 存儲(chǔ)容量:2 kbit 組織:256 x 8/128 x 16 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 最大時(shí)鐘頻率:1 MHz 數(shù)據(jù)保留:100 Year 電源電流—最大值:2 mA 高度:1.48 mm (Max) 長(zhǎng)度:4.98 mm (Max) 寬度:3.99 mm (Max) 商標(biāo):Microchip Technology / Atmel 工作電源電流:2 mA 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 產(chǎn)品類型:EEPROM 工廠包裝數(shù)量100 子類別:Memory & Data Storage

Microchip WLR089U0模塊基于高度集成的SAM R34系列IC，并支持LoRa®和FSK調(diào)制。

WLR089U0模塊集成了一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)，可在863 MHz至928MHz的全球LoRaWAN頻段內(nèi)運(yùn)行，因此可在不同地區(qū)使用同一元件，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并縮減了物料清單。

模塊擁有高達(dá)18.6 dBm的發(fā)射 (TX) 功率和低至-136 dBm的接收 (RX) 靈敏度，并通過(guò)了FCC（美國(guó)）、IC（加拿大）和RED/CE（歐洲）認(rèn)證。

貿(mào)澤還供貨WLR089 Explained Pro評(píng)估套件。