典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作)鐵氧體磁芯結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2021/5/25 8:33:09 訪問次數(shù):238
兩個(gè)衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯(lián)起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個(gè)衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
器件具有高度線性度,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
規(guī)范
尺寸代碼:0603
額定電感:6.8μH±20%至10μH±20%
電感測試頻率:1MHz
額定電流:100mA至120mA
直流電阻:1.37Ω(最大值)
鐵氧體磁芯結(jié)構(gòu)
自諧振頻率:32MHz至40MHz
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
兩個(gè)衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯(lián)起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個(gè)衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
器件具有高度線性度,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
規(guī)范
尺寸代碼:0603
額定電感:6.8μH±20%至10μH±20%
電感測試頻率:1MHz
額定電流:100mA至120mA
直流電阻:1.37Ω(最大值)
鐵氧體磁芯結(jié)構(gòu)
自諧振頻率:32MHz至40MHz
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
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