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單個功能強(qiáng)大的圖形界面控制四種獨(dú)特儀器的功能

發(fā)布時間:2021/5/28 8:03:32 訪問次數(shù):508

Keysight SBE 實(shí)驗(yàn)室測試臺用產(chǎn)品同時也非常適合現(xiàn)代高校的教學(xué)實(shí)驗(yàn)室,為知識的分享和學(xué)習(xí)創(chuàng)造更好的環(huán)境。新冠疫情的傳播促使遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)更快成為新常態(tài)。大多數(shù)高校都在努力適應(yīng)這一新情況,力求通過適宜的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)融洽的學(xué)習(xí)體驗(yàn)。

Keysight PathWave BenchVue 應(yīng)用軟件與 SBE 系列相輔相成,支持客戶在快速配置儀器的同時,通過同一臺電腦運(yùn)行測試程序。

該應(yīng)用軟件可以將數(shù)據(jù)存儲到電腦上,然后以標(biāo)準(zhǔn)的可讀格式導(dǎo)出數(shù)據(jù),以便后期分析以及生成報告。

Keysight SBE 系列還提供可選的PathWave 遠(yuǎn)程訪問實(shí)驗(yàn)室軟件和PathWave 實(shí)驗(yàn)室管理軟件,用于提升實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)和工作效率。

制造商:ROHM Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-723-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:200 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 VQg-柵極電荷:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:150 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):ROHM Semiconductor正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS下降時間:10 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:10 ns8000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:5 ns零件號別名:RUM002N02單位重量:1.500 mg

AIY項(xiàng)目開發(fā)套件及Coral USB加速器,以助力工程師、設(shè)計師和制造商輕松為項(xiàng)目和產(chǎn)品添加設(shè)備端人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)推理功能,從而加速將應(yīng)用理念從原型設(shè)計擴(kuò)展到實(shí)際開發(fā)。

適合于實(shí)驗(yàn)室的智能測試臺必備儀器(SBE)系列產(chǎn)品。

它們通過單個功能強(qiáng)大的圖形界面控制四種獨(dú)特儀器的功能,包括三路程控電源、任意函數(shù)發(fā)生器、數(shù)字萬用表和示波器,實(shí)現(xiàn)了一體化的數(shù)據(jù)管理和分析。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Keysight SBE 實(shí)驗(yàn)室測試臺用產(chǎn)品同時也非常適合現(xiàn)代高校的教學(xué)實(shí)驗(yàn)室,為知識的分享和學(xué)習(xí)創(chuàng)造更好的環(huán)境。新冠疫情的傳播促使遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)更快成為新常態(tài)。大多數(shù)高校都在努力適應(yīng)這一新情況,力求通過適宜的技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)融洽的學(xué)習(xí)體驗(yàn)。

Keysight PathWave BenchVue 應(yīng)用軟件與 SBE 系列相輔相成,支持客戶在快速配置儀器的同時,通過同一臺電腦運(yùn)行測試程序。

該應(yīng)用軟件可以將數(shù)據(jù)存儲到電腦上,然后以標(biāo)準(zhǔn)的可讀格式導(dǎo)出數(shù)據(jù),以便后期分析以及生成報告。

Keysight SBE 系列還提供可選的PathWave 遠(yuǎn)程訪問實(shí)驗(yàn)室軟件和PathWave 實(shí)驗(yàn)室管理軟件,用于提升實(shí)驗(yàn)室體驗(yàn)和工作效率。

制造商:ROHM Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-723-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20 VId-連續(xù)漏極電流:200 mARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 OhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 VQg-柵極電荷:-最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:150 mW通道模式:Enhancement封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):ROHM Semiconductor正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS下降時間:10 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:10 ns8000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:5 ns零件號別名:RUM002N02單位重量:1.500 mg

AIY項(xiàng)目開發(fā)套件及Coral USB加速器,以助力工程師、設(shè)計師和制造商輕松為項(xiàng)目和產(chǎn)品添加設(shè)備端人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)推理功能,從而加速將應(yīng)用理念從原型設(shè)計擴(kuò)展到實(shí)際開發(fā)。

適合于實(shí)驗(yàn)室的智能測試臺必備儀器(SBE)系列產(chǎn)品。

它們通過單個功能強(qiáng)大的圖形界面控制四種獨(dú)特儀器的功能,包括三路程控電源、任意函數(shù)發(fā)生器、數(shù)字萬用表和示波器,實(shí)現(xiàn)了一體化的數(shù)據(jù)管理和分析。

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