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全局快門的1兆像素CMOS傳感器及卷筒紙邊緣和水平控制

發(fā)布時間:2021/5/31 12:13:19 訪問次數(shù):215

視覺系統(tǒng)尺寸僅為22mmx23.5mm,仍然包含圖像處理所需的所有組件:具有全局快門的1兆像素CMOS傳感器,F(xiàn)PGA模塊,高端FPU處理器和內(nèi)存。

可以通過集成的FPC連接器連接接口板。

Vision Components久經(jīng)考驗的VCRT操作系統(tǒng)可實現(xiàn)圖像實時處理,例如用于對象識別,位置控制,條形碼讀取以及卷筒紙邊緣和水平控制。

這使VC PicoSmart成為快速開發(fā)具有成本效益,針對特定應(yīng)用的緊湊型視覺傳感器的理想基礎(chǔ)。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:跨導(dǎo)放大器 通道數(shù)量:1 Channel SR - 轉(zhuǎn)換速率 :75 V/us Ib - 輸入偏流:5 uA Vos - 輸入偏置電壓 :2 mV 工作電源電流:1.2 mA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 放大器類型:Transconductance Amplifier 高度:4.95 mm (Max) 長度:10.16 mm (Max) 產(chǎn)品:Transconductance Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:7.11 mm (Max) 商標(biāo):Renesas / Intersil 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:80 dB 雙重電源電壓:+/- 9 V, +/- 12 V 最大雙重電源電壓:+/- 15 V 最小雙重電源電壓:+/- 5 V 產(chǎn)品類型:Transconductance Amplifiers 子類別:Amplifier ICs 單位重量:1 g

eGaN FET和集成電路提高了48V/12V轉(zhuǎn)換器的功率密度,并滿足了數(shù)據(jù)中心對于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。

Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。

氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

視覺系統(tǒng)尺寸僅為22mmx23.5mm,仍然包含圖像處理所需的所有組件:具有全局快門的1兆像素CMOS傳感器,F(xiàn)PGA模塊,高端FPU處理器和內(nèi)存。

可以通過集成的FPC連接器連接接口板。

Vision Components久經(jīng)考驗的VCRT操作系統(tǒng)可實現(xiàn)圖像實時處理,例如用于對象識別,位置控制,條形碼讀取以及卷筒紙邊緣和水平控制。

這使VC PicoSmart成為快速開發(fā)具有成本效益,針對特定應(yīng)用的緊湊型視覺傳感器的理想基礎(chǔ)。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:跨導(dǎo)放大器 通道數(shù)量:1 Channel SR - 轉(zhuǎn)換速率 :75 V/us Ib - 輸入偏流:5 uA Vos - 輸入偏置電壓 :2 mV 工作電源電流:1.2 mA 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:PDIP-8 放大器類型:Transconductance Amplifier 高度:4.95 mm (Max) 長度:10.16 mm (Max) 產(chǎn)品:Transconductance Amplifiers 電源類型:Dual 技術(shù):Bipolar 寬度:7.11 mm (Max) 商標(biāo):Renesas / Intersil 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:80 dB 雙重電源電壓:+/- 9 V, +/- 12 V 最大雙重電源電壓:+/- 15 V 最小雙重電源電壓:+/- 5 V 產(chǎn)品類型:Transconductance Amplifiers 子類別:Amplifier ICs 單位重量:1 g

eGaN FET和集成電路提高了48V/12V轉(zhuǎn)換器的功率密度,并滿足了數(shù)據(jù)中心對于小尺寸、更高功率的應(yīng)用需求。

Microchip數(shù)字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。

氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍,其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器,以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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