新的芯片以應(yīng)對以太幣的特殊需求，芯片將專門用于開采第二大數(shù)字加密貨幣以太幣，并希望在此過程中提高GeForce產(chǎn)品線中最佳顯卡的可用性。

輸入電壓在48V至12V時的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時的滿載效率為97％。

這種新的芯片被命名為“CMP”，全稱“Cryptocurrency Mining Processor”(加密貨幣開采處理器），特點是優(yōu)化設(shè)計，使得用戶可以更有效地挖礦，更快地回收他們的挖礦投資。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 封裝 / 箱體:SOIC-14 晶體管極性:NPN 配置:Quint 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 集電極—基極電壓 VCBO:20 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V 最大直流電集電極電流:0.05 A Pd-功率耗散:300 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:550 MHz 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 高度:1.5 mm 長度:8.65 mm 技術(shù):Si 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Renesas / Intersil 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 at 1 mA, 3 V 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 子類別:Transistors 單位重量:241 mg

不帶散熱器的轉(zhuǎn)換器的總厚度僅為10 mm。為了讓工程師能夠輕松地復(fù)制這個設(shè)計，該電路板的所有設(shè)計資源，包括原理圖、物料清單和Gerber文檔，都可以在EPC網(wǎng)站上找到。

氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaNFET）技術(shù)，才可以實現(xiàn)1226 W / in3的高功率密度。

eGaN FET具有高開關(guān)頻率，這個板子的頻率是1 MHz且微型，其尺寸僅為采用相同導(dǎo)通電阻的硅MOSFET的板子的1/3。

擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。