電源在2.0V和5.5V間嵌入式RAM和低功耗低至107uA/MHz
發(fā)布時(shí)間:2021/6/3 7:36:10 訪問(wèn)次數(shù):184
RA6M5采用高效的40nm工藝,可以滿足物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求,如以太網(wǎng),面向未來(lái)應(yīng)用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 閃存,448KB 支持奇偶校驗(yàn)的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
器件帶有專(zhuān)用 DMA 的以太網(wǎng)控制器,電容觸摸按鍵感應(yīng)單元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,簡(jiǎn)單 SPI,簡(jiǎn)單 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作電壓2.7V-3.6V,工作溫度-40Ｃ到+105Ｃ.
制造商:Toshiba產(chǎn)品種類(lèi):邏輯輸出光電耦合器RoHS: 封裝 / 箱體:SOP-4輸出類(lèi)型:Darlington通道數(shù)量:1 Channel絕緣電壓:5000 Vrms最大連續(xù)輸出電流:150 mAIf - 正向電流:10 mAVf - 正向電壓:1.25 VVr - 反向電壓 :5 VPd-功率耗散:250 mW最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 110 C系列:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel類(lèi)型:Photocoupler商標(biāo):Toshiba傳播延遲—最大值:-電流傳遞比:6000 %下降時(shí)間:30 us最大波特率:-產(chǎn)品類(lèi)型:Logic Output Optocouplers上升時(shí)間:60 us1500子類(lèi)別:Optocouplers單位重量:240 mg
高DC精度:VOS為±1.65 μV, CMRR為154 dB, PSRR為138 dB,增益為±0.1%.
主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規(guī)范的汽車(chē)電子,馬達(dá)控制,模擬電平轉(zhuǎn)移,工業(yè)計(jì)算和電池監(jiān)視器/測(cè)試器.
共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM = VIP – VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
零飄移架構(gòu)支持非常低的輸入誤差,允許設(shè)計(jì)采用并聯(lián)電阻的值較低,從而更低的功耗.
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
RA6M5采用高效的40nm工藝,可以滿足物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求,如以太網(wǎng),面向未來(lái)應(yīng)用的安全功能,大容量嵌入式 RAM和低功耗, 低至 107uA/MHz.
器件具有1MB - 2MB 閃存,448KB 支持奇偶校驗(yàn)的 SRAM 和 64KB ECC SRAM.
器件帶有專(zhuān)用 DMA 的以太網(wǎng)控制器,電容觸摸按鍵感應(yīng)單元,高速和全速 USB 2.0和CAN FD(也支持CAN 2.0B), QuadSPI和OctaSPI以及SCI多功能串口(UART,簡(jiǎn)單 SPI,簡(jiǎn)單 I2C), SPI/ I2C 多主接口, SDHI和MMC.工作電壓2.7V-3.6V,工作溫度-40Ｃ到+105Ｃ.
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高DC精度:VOS為±1.65 μV, CMRR為154 dB, PSRR為138 dB,增益為±0.1%.
主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規(guī)范的汽車(chē)電子,馬達(dá)控制,模擬電平轉(zhuǎn)移,工業(yè)計(jì)算和電池監(jiān)視器/測(cè)試器.
共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM = VIP – VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
零飄移架構(gòu)支持非常低的輸入誤差,允許設(shè)計(jì)采用并聯(lián)電阻的值較低,從而更低的功耗.
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