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MOSFET尺寸8x8x1.7mm具有領(lǐng)先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性

發(fā)布時(shí)間:2023/12/17 20:33:06 訪問次數(shù):83

高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM=VIP–VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.

SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到+125C(E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到+150C(H溫度).

主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規(guī)范的汽車電子,馬達(dá)控制,模擬電平轉(zhuǎn)移,工業(yè)計(jì)算和電池監(jiān)視器/測試器.

制造商:Winbond產(chǎn)品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:16 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:133 MHz組織:2Mx8數(shù)據(jù)總線寬度:8bit定時(shí)類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:Reel商標(biāo):Winbond電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:NOR Flash4000子類別:Memory & Data Storage

新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。

這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8x8x1.7mm,具有領(lǐng)先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關(guān)工作。

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)要求兩倍的可靠性,適合制動(dòng)、助力轉(zhuǎn)向、電池防反保護(hù)、e-fuse、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制應(yīng)用。


KSZ8895RQXCA-TR

高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM=VIP–VIM)支持單向和雙向應(yīng)用.器件的電源在2.0V和5.5V間.

SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到+125C(E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到+150C(H溫度).

主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規(guī)范的汽車電子,馬達(dá)控制,模擬電平轉(zhuǎn)移,工業(yè)計(jì)算和電池監(jiān)視器/測試器.

制造商:Winbond產(chǎn)品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:16 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:133 MHz組織:2Mx8數(shù)據(jù)總線寬度:8bit定時(shí)類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:Reel商標(biāo):Winbond電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:NOR Flash4000子類別:Memory & Data Storage

新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。

這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8x8x1.7mm,具有領(lǐng)先的線性模式/安全工作區(qū)域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關(guān)工作。

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)要求兩倍的可靠性,適合制動(dòng)、助力轉(zhuǎn)向、電池防反保護(hù)、e-fuse、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制應(yīng)用。


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