Primo Twin-Star® 以更小的占地面積、更低的生產(chǎn)成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質(zhì)和導(dǎo)體的各種刻蝕應(yīng)用，并用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應(yīng)用。

由于Primo Twin-Star®反應(yīng)器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設(shè)計，在眾多的刻蝕應(yīng)用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應(yīng)器相同的刻蝕結(jié)果。這就給客戶提供了高質(zhì)量、高輸出和低成本的解決方案。

Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

制造商:ROHM Semiconductor產(chǎn)品種類:二極管 - 通用，功率，開關(guān)RoHS: 產(chǎn)品:Switching Diodes安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOD-323FL-2峰值反向電壓:90 V最大浪涌電流:500 mAIf - 正向電流:100 mA配置:Single恢復(fù)時間:4 nsVf - 正向電壓:1.2 VIr - 反向電流 :100 nA最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel商標:ROHM Semiconductor最大二極管電容:3 pF產(chǎn)品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching3000子類別:Diodes & Rectifiers零件號別名:1SS355VMFH單位重量:32 mg

InnoBTS™ SSD采用非對稱性密碼學(xué)的公開數(shù)據(jù)加密技術(shù)，可產(chǎn)生專屬的私鑰（private key），并透過私鑰和公鑰的發(fā)送配對，啟動數(shù)字簽名機制作為資料認證。

一方面將重要的私鑰存于固態(tài)硬盤內(nèi)部安全區(qū)塊加以保護，另一方面可發(fā)送公鑰并僅供讀取，同時利用區(qū)塊鏈的去中心化架構(gòu)，將數(shù)據(jù)分散記錄保存，如果有遭資料篡改的情況，便可清楚地顯示出其中差異，進一步確保資料正確性。

邊緣設(shè)備所產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù),若能透過區(qū)塊鏈保存,物聯(lián)網(wǎng)將可以建立起值得信任且正確完整的數(shù)據(jù)庫。

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