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雙極電源來有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET工業(yè)的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021/6/6 15:16:18 訪問次數(shù):241

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.

33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.

UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計(jì)

RoHS: 詳細(xì)信息

傳感器類型: 2-axis

傳感軸: X, Y

加速: 1.2 g

輸出類型: Digital

接口類型: -

分辨率: -

電源電壓-最大: 6 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 700 nA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝: Tube

高度: 5 mm

長(zhǎng)度: 5 mm

系列: ADXL213

類型: Dual Axis Accelerometer

寬度: 2 mm

商標(biāo): Analog Devices

工作電源電壓: 5 V

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 95

子類別: Sensors

單位重量: 334 mg

100W馬達(dá)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高壓高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器.

基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,準(zhǔn)諧振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低壓降電壓穩(wěn)壓器IFX1763XEJV50以及P溝MOSFET BSS314PE和N溝MOSFET BSS138N.

這些應(yīng)用有多種市場(chǎng)包括汽車電子,專業(yè)音頻,以及需要高浮點(diǎn)性能的基于工業(yè)的應(yīng)用.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器,源電流1.5A,沉電流2A,增強(qiáng)隔離指標(biāo)為5.7-kVRMS.

33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅(qū)動(dòng)IGBT和SiC功率FET.

UCC23511-Q1能驅(qū)動(dòng)高邊和低邊功率FET.引腳對(duì)引腳替代光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時(shí)延為105ns,部件間延時(shí)失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計(jì)

RoHS: 詳細(xì)信息

傳感器類型: 2-axis

傳感軸: X, Y

加速: 1.2 g

輸出類型: Digital

接口類型: -

分辨率: -

電源電壓-最大: 6 V

電源電壓-最小: 3 V

工作電源電流: 700 nA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝: Tube

高度: 5 mm

長(zhǎng)度: 5 mm

系列: ADXL213

類型: Dual Axis Accelerometer

寬度: 2 mm

商標(biāo): Analog Devices

工作電源電壓: 5 V

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 95

子類別: Sensors

單位重量: 334 mg

100W馬達(dá)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板,主要包括600V CoolMOS PFD7 SJ功率器件IPN60R2K0PFD7S和600V 高壓高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器.

基于ARM® Cortex®-M0的XMC1302-T038X0200 32位MCU,準(zhǔn)諧振CoolSET™反激控制器ICE5QR4770AG,低壓降電壓穩(wěn)壓器IFX1763XEJV50以及P溝MOSFET BSS314PE和N溝MOSFET BSS138N.

這些應(yīng)用有多種市場(chǎng)包括汽車電子,專業(yè)音頻,以及需要高浮點(diǎn)性能的基于工業(yè)的應(yīng)用.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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