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ISO6720-Q1器件生產(chǎn)線末端編程時優(yōu)化準確性和制造效率

發(fā)布時間:2021/6/6 18:40:13 訪問次數(shù):289

傳感器的多種可編程通道調(diào)整和線性化選項可根據(jù)磁路輕松調(diào)整,以針對具體應用在生產(chǎn)線末端編程時優(yōu)化準確性和制造效率。  

無論通過何種接口(如模擬、SAE J2716 SENT、PWM、I2C),3DMAG傳感器均通過傳感器輸出支持靈活的低壓編程,從而允許嵌入式設計中通過微控制器直接編程,簡化生產(chǎn)線末端系統(tǒng)校準的接口限制。

輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓撲,工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計

RoHS: 詳細信息

傳感器類型: 3-axis

傳感軸: X, Y, Z

加速: 10 g, 20 g

靈敏度: 80 mV/g, 40 mV/g

輸出類型: Analog

接口類型: I2C, SPI

分辨率: 20 bit

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2.25 V

工作電源電流: 150 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝: Tray

系列: ADXL356

商標: Analog Devices

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 280

子類別: Sensors

單位重量: 24 mg

每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.

在輸入電源或信號丟失時,默認輸出是高電平(無后綴F器件),默認輸出是低電平(帶后綴F器件).

采用內(nèi)部反饋電阻時,器件默認輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動態(tài)進行調(diào)整.

ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

傳感器的多種可編程通道調(diào)整和線性化選項可根據(jù)磁路輕松調(diào)整,以針對具體應用在生產(chǎn)線末端編程時優(yōu)化準確性和制造效率。  

無論通過何種接口(如模擬、SAE J2716 SENT、PWM、I2C),3DMAG傳感器均通過傳感器輸出支持靈活的低壓編程,從而允許嵌入式設計中通過微控制器直接編程,簡化生產(chǎn)線末端系統(tǒng)校準的接口限制。

輸出電壓250 V-450 V DC,充電模式的輸出電流為18A,最大輸出功率6.6kW.前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓撲,工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.

制造商: Analog Devices Inc.

產(chǎn)品種類: 加速計

RoHS: 詳細信息

傳感器類型: 3-axis

傳感軸: X, Y, Z

加速: 10 g, 20 g

靈敏度: 80 mV/g, 40 mV/g

輸出類型: Analog

接口類型: I2C, SPI

分辨率: 20 bit

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 2.25 V

工作電源電流: 150 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝: Tray

系列: ADXL356

商標: Analog Devices

產(chǎn)品類型: Accelerometers

工廠包裝數(shù)量: 280

子類別: Sensors

單位重量: 24 mg

每個隔離通路有邏輯輸入和輸出緩沖器,它們由TI的雙層容性二氧化硅(SiO2)絕緣層隔離.ISO6720-Q1器件在同一方向有兩路,而ISO6721-Q1有兩個隔離通路,一路在每個方向.

在輸入電源或信號丟失時,默認輸出是高電平(無后綴F器件),默認輸出是低電平(帶后綴F器件).

采用內(nèi)部反饋電阻時,器件默認輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動態(tài)進行調(diào)整.

ISO672x-Q1具有在低功耗時的高電磁免疫度和低輻射性,同時隔離CMOS或LVCMOS數(shù)字I/O.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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