電容低至0.5 pF鉗位電壓3V高達(dá)10A 8/20μs的浪涌和ESD脈沖
發(fā)布時(shí)間:2021/6/14 10:52:52 訪問次數(shù):947
安森美半導(dǎo)體API 1302圖像協(xié)處理器可以在平臺(tái)內(nèi)執(zhí)行圖像處理功能,包括傳感器的旋轉(zhuǎn),配置和校準(zhǔn)。
同時(shí),與所有TrEOS器件一樣,這些新的車用器件具有很低的電容,可確保高信號(hào)完整性,并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性,適用于新的車載接口。
具體的車載應(yīng)用包括采用USB 3.2,HDMI,LVDS,SerDes和SD卡接口的信息娛樂,多媒體與ADAS系統(tǒng)。
Nexperia的TrEOS ESD保護(hù)技術(shù)利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護(hù)難題。電容低至0.5 pF,鉗位電壓只有3 V,器件可承受高達(dá)10 A 8/20 μs的浪涌和ESD脈沖。
制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DO-201AD-2 Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:4 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.25 V 最大浪涌電流:150 A Ir - 反向電流 :10 uA 恢復(fù)時(shí)間:50 ns 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 175 C 封裝:Ammo Pack 直徑:5.3 mm 高度:5.3 mm 長度:9.5 mm 產(chǎn)品:Rectifiers 寬度:5.3 mm 商標(biāo):Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品類型:Rectifiers 工廠包裝數(shù)量3400 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:1.100 g
Cartesiam的開發(fā)環(huán)境NanoEdge AI™ Studio已取得專利,能幫助嵌入式開發(fā)人員在預(yù)先沒有任何人工智能知識(shí)的情況下,快速開發(fā)單片機(jī)專用機(jī)器學(xué)習(xí)庫。
全球各地?cái)?shù)百家廠商都在生產(chǎn)采用了Cartesiam公司技術(shù)的各類器件。
Edge Impulse是一個(gè)面向嵌入式機(jī)器學(xué)習(xí)的端到端開發(fā)人員平臺(tái),支持工業(yè)、商用和可穿戴市場的企業(yè)開發(fā)智能設(shè)備。
受益于Microchip的MPLAB X集成開發(fā)環(huán)境和評(píng)估工具包支持,開發(fā)人員只需幾分鐘就能開始工作。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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