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開發(fā)系統(tǒng)內(nèi)存最高24TB最多八個插槽系統(tǒng)促進ECU的小型化

發(fā)布時間:2021/6/16 19:12:17 訪問次數(shù):613

用它代替具有相同封裝尺寸的傳統(tǒng)東芝產(chǎn)品。性能改進還有利于通過更換類似的5×6mm尺寸的產(chǎn)品,以促進ECU的小型化。

TLS412xD0EPV50是OPTIREG™轉(zhuǎn)換器,2.8MHz 同步降壓穩(wěn)壓器,特別設(shè)計用于汽車應(yīng)用.器件PWM模式,電流具有2A,固定5V輸出電壓和反饋電壓精度±1.5%.

集成的功率級,軟起動也性和集成的補償網(wǎng)絡(luò)降低了所需要的外接元件數(shù)量,因此降低成本和PCB板空間.寬輸入范圍和100%占空比操作模式使得器件適合用在汽車應(yīng)用的電池啟動方案.

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:數(shù)字隔離器RoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數(shù)量:2 Channel極性:Bidirectional數(shù)據(jù)速率:25 Mb/s絕緣電壓:2500 Vrms隔離類型:Magnetic Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:6.3 mA傳播延遲時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel類型:General Purpose商標:Analog Devices最大下降時間:3 ns (Typ)最大上升時間:3 ns (Typ)工作電源電壓:5.5 V產(chǎn)品類型:Digital Isolators脈沖寬度:100 ns1000子類別:Interface ICs單位重量:540 mg

系統(tǒng)管理員可以將英特爾傲騰持久內(nèi)存配置為對軟件來說與DRAM無異的易失性內(nèi)存,也可以將其設(shè)置為像SSD一樣保存數(shù)據(jù)的非易失性內(nèi)存,但其數(shù)據(jù)訪問速度要比基于NAND的典型驅(qū)動器快225倍。

多功能的內(nèi)存有兩種作業(yè)模式,即應(yīng)用直接訪問模式 (App Direct Mode) 和內(nèi)存模式 (Memory Mode)。

內(nèi)存條提供128 GB、256 GB和512 GB的容量選擇,并與第二代英特爾至強® 可擴展處理器家族兼容,可用于開發(fā)系統(tǒng)內(nèi)存最高24TB,最多八個插槽的系統(tǒng)。

內(nèi)存條可利用比NAND SSD更大的內(nèi)存和更強的耐用性提升系統(tǒng)性能,適用于寫入密集型工作負載。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


用它代替具有相同封裝尺寸的傳統(tǒng)東芝產(chǎn)品。性能改進還有利于通過更換類似的5×6mm尺寸的產(chǎn)品,以促進ECU的小型化。

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集成的功率級,軟起動也性和集成的補償網(wǎng)絡(luò)降低了所需要的外接元件數(shù)量,因此降低成本和PCB板空間.寬輸入范圍和100%占空比操作模式使得器件適合用在汽車應(yīng)用的電池啟動方案.

制造商:Analog Devices Inc.產(chǎn)品種類:數(shù)字隔離器RoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數(shù)量:2 Channel極性:Bidirectional數(shù)據(jù)速率:25 Mb/s絕緣電壓:2500 Vrms隔離類型:Magnetic Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:6.3 mA傳播延遲時間:50 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel類型:General Purpose商標:Analog Devices最大下降時間:3 ns (Typ)最大上升時間:3 ns (Typ)工作電源電壓:5.5 V產(chǎn)品類型:Digital Isolators脈沖寬度:100 ns1000子類別:Interface ICs單位重量:540 mg

系統(tǒng)管理員可以將英特爾傲騰持久內(nèi)存配置為對軟件來說與DRAM無異的易失性內(nèi)存,也可以將其設(shè)置為像SSD一樣保存數(shù)據(jù)的非易失性內(nèi)存,但其數(shù)據(jù)訪問速度要比基于NAND的典型驅(qū)動器快225倍。

多功能的內(nèi)存有兩種作業(yè)模式,即應(yīng)用直接訪問模式 (App Direct Mode) 和內(nèi)存模式 (Memory Mode)。

內(nèi)存條提供128 GB、256 GB和512 GB的容量選擇,并與第二代英特爾至強® 可擴展處理器家族兼容,可用于開發(fā)系統(tǒng)內(nèi)存最高24TB,最多八個插槽的系統(tǒng)。

內(nèi)存條可利用比NAND SSD更大的內(nèi)存和更強的耐用性提升系統(tǒng)性能,適用于寫入密集型工作負載。


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