TSON-Advance（WF）封裝的低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET，它們分別是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。

新產(chǎn)品采用帶有可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的TSON Advance（WF）封裝，便于對(duì)電路板安裝條件進(jìn)行自動(dòng)目視檢查。

東芝“U-MOSVIII-H”工藝的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品有助于設(shè)備節(jié)能。

制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)容量:512 kbit 組織:64 k x 8 訪問(wèn)時(shí)間:15 ns 接口類(lèi)型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:185 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFP-100 數(shù)據(jù)速率:SDR 存儲(chǔ)類(lèi)型:SDR 類(lèi)型:Asynchronous 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:2 產(chǎn)品類(lèi)型:SRAM 子類(lèi)別:Memory & Data Storage 單位重量:657 mg

傲騰持久內(nèi)存將容量大幅提升到了最高512 GB，同時(shí)提高了性能與效率，可支持內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)、分析工具和內(nèi)容交付網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。

英特爾傲騰持久內(nèi)存條為設(shè)計(jì)人員和開(kāi)發(fā)人員提供了經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的大容量?jī)?nèi)存，它們既可以用作易失性?xún)?nèi)存，也可以用作高性能的持久數(shù)據(jù)層。

為了方便集成，這些內(nèi)存條兼容DDR4插槽，并且與DDR4 DRAM在同一總線/通道上運(yùn)行，在與同一平臺(tái)上的傳統(tǒng)DDR4 DRAM DIMM搭配使用時(shí)，更能發(fā)揮設(shè)計(jì)靈活性。

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