氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）優(yōu)越特性使得轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高功率密度,超高效率和低諧波失真。

200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同時成本更低，目前已有供貨。采用這些領(lǐng)先氮化鎵器件的應(yīng)用十分廣闊，包括D類音頻放大器、同步整流器、太陽能最大功率點跟蹤器（MPPT）、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)和諧振式），以及多電平高壓轉(zhuǎn)換器。

EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%，而性能卻倍增。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:電池管理 產(chǎn)品:Charge Management 工作電源電壓:4.5 V to 24 V 封裝 / 箱體:WQFN-28 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 商標(biāo):Texas Instruments 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 產(chǎn)品類型:Battery Management 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs

IPS160HF內(nèi)部輸出級限流2.5A(Min)，IPS161HF限流0.7A(Min)。這兩款器件均能耐受最高65V的電源電壓，并集成主動鉗位電路來處理感性負(fù)載。

內(nèi)置保護機制包括GND開路和VCC開路保護、熱關(guān)斷、欠壓保護和短路關(guān)斷等，以保護芯片、應(yīng)用和過載情形。關(guān)斷延時可用外部電容器設(shè)定，關(guān)斷保護會在預(yù)設(shè)延時后立即動作，關(guān)斷后器件幾乎不消耗功率，以減少發(fā)熱。

IPS160HF和IPS161HF現(xiàn)已量產(chǎn)，采用散熱改進型PowerSSO12封裝。