14mm×14mm289引腳芯片級球柵陣列封裝高達(dá)9750W的功率
發(fā)布時間:2021/6/18 13:25:40 訪問次數(shù):511
在需要更大功率且物理高度存在問題的應(yīng)用中，可以并聯(lián)多達(dá)9個TUNS1200，在傳導(dǎo)冷卻模式下可提供高達(dá)9,750W的功率。
該電源符合RoHS指令，CE標(biāo)簽符合低壓指令。
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V High 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:330 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:8 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:600 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標(biāo):Panasonic 漏泄電流:82.5 uA 損耗因數(shù) DF:0.14 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:880 mg
更低的開態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.
因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設(shè)計(jì)采用NVHL060N090SC1器件.
單片高邊和低邊柵極驅(qū)動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅(qū)動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓?fù)?系統(tǒng)效率高達(dá)97%,以及提供硬件OCP和OVP.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
在需要更大功率且物理高度存在問題的應(yīng)用中，可以并聯(lián)多達(dá)9個TUNS1200，在傳導(dǎo)冷卻模式下可提供高達(dá)9,750W的功率。
該電源符合RoHS指令，CE標(biāo)簽符合低壓指令。
采用14 mm × 14 mm289引腳芯片級球柵陣列 (CSP_BGA) 封裝.主要用在3G/4G/5G TDD 和 FDD 大規(guī)模 MIMO,宏蜂窩和小型蜂窩基站.
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:FK-V High 產(chǎn)品:High Temp Electrolytic Capacitors 電容:330 uF 電壓額定值 DC:25 VDC 容差:20 % ESR:160 mOhms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:8 mm 長度:10.2 mm 高度:10.2 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:600 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Aluminum Electrolytic Capacitors/Medium-size 商標(biāo):Panasonic 漏泄電流:82.5 uA 損耗因數(shù) DF:0.14 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:500 子類別:Capacitors 單位重量:880 mg
更低的開態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.
因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.6.6 kW車載充電器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB參考設(shè)計(jì)采用NVHL060N090SC1器件.
單片高邊和低邊柵極驅(qū)動器FAN7191 F085,650V N溝功率MOSFET SUPERFET® III NVHL025N65S3,隔離大電流和高效率IGBT驅(qū)動器NCV57000DWR2G和圖騰柱拓?fù)?系統(tǒng)效率高達(dá)97%,以及提供硬件OCP和OVP.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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