TBS2000B數(shù)字存儲(chǔ)示波器，增加了許多關(guān)鍵功能，提高了產(chǎn)品完善程度。

儀器擁有9英寸WVGA大顯示器、15個(gè)水平分度、5M點(diǎn)記錄長(zhǎng)度、200 MHz帶寬和2GS/s采樣率，可以捕獲和顯示更多信號(hào)，可以更快地調(diào)試和驗(yàn)證設(shè)計(jì)。

新的波形上光標(biāo)讀數(shù)及搜索和標(biāo)記功能，可以簡(jiǎn)便識(shí)別采集的波形中發(fā)生的事件。此外，TBS2000B采用噪聲更低的新型前端設(shè)計(jì)，提供了更好的信號(hào)完整性和更高的測(cè)量精度。

制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類:NAND閃存RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:LBGA-100系列:存儲(chǔ)容量:256 Gbit組織:32 G x 8定時(shí)類型:Asynchronous, Synchronous數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:50 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel存儲(chǔ)類型:NAND產(chǎn)品:NAND Flash類型:No Boot Block商標(biāo):Micron有源讀取電流（最大值）:50 mA產(chǎn)品類型:NAND Flash標(biāo)準(zhǔn):Not Supported1000子類別:Memory & Data Storage

Si828x系列(Si8281/82/83/84)組合了隔離大電流柵極驅(qū)動(dòng)器和集成了系統(tǒng)安全性和反饋功能.該系列產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)逆變器和馬達(dá)控制應(yīng)用中所用的碳化硅(SiC) FET,功率MOSFET和IGBT.

Si828x系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器采用Silicon Labs公司的專有的硅隔離技術(shù),支持耐受電壓高達(dá)5.0 kVrmper UL1577.

這種技術(shù)具有高性能的隨溫度和老化的性能變差會(huì)減少,部件間一致性更好,和其它隔離柵極驅(qū)動(dòng)器相比有更好的共模抑制比.

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