恒定導(dǎo)通電流(ION)0.7AU-MOSX-H制程和一種低壓溝槽結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2021/6/17 19:02:09 訪問(wèn)次數(shù):424
TLP170AM的斷態(tài)輸出端額定電壓為60V,恒定導(dǎo)通電流(ION)為0.7A,脈沖狀態(tài)工作時(shí)最高可達(dá)2.1A。TLP170GM為350V版本,ION恒定電流為110mA,脈沖狀態(tài)工作時(shí)為330mA。
RA6M1是120MHzArm® Cortex®-M4核 MCU,集成了512KB代碼閃存,256KB SRAM,容性觸摸檢測(cè)單元,USB 2.0全素,SDHI,Quad SPI,防護(hù)與安全特性和先進(jìn)的模擬.
MCU集成了軟件和引腳兼容的基于Arm®32位核的多個(gè)系列,共享Renesas外設(shè)共同集,方便了設(shè)計(jì)的升級(jí)和基于平臺(tái)的有效的產(chǎn)品開(kāi)發(fā).
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:HA-V High 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 電容:22 uF 電壓額定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:5 mm 長(zhǎng)度:5.5 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:35 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Surface Mount Type 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新工藝80V N溝道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”產(chǎn)品線中新增了四位“新成員”,該系列產(chǎn)品專門(mén)用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)式電源。
其中,“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)貼片式封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)圖案的工業(yè)兼容性;“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封裝技術(shù)。
通過(guò)采用最新工藝的U-MOSX-H制程和一種低壓溝槽結(jié)構(gòu),這幾款新產(chǎn)品具有行業(yè)領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻。
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
TLP170AM的斷態(tài)輸出端額定電壓為60V,恒定導(dǎo)通電流(ION)為0.7A,脈沖狀態(tài)工作時(shí)最高可達(dá)2.1A。TLP170GM為350V版本,ION恒定電流為110mA,脈沖狀態(tài)工作時(shí)為330mA。
RA6M1是120MHzArm® Cortex®-M4核 MCU,集成了512KB代碼閃存,256KB SRAM,容性觸摸檢測(cè)單元,USB 2.0全素,SDHI,Quad SPI,防護(hù)與安全特性和先進(jìn)的模擬.
MCU集成了軟件和引腳兼容的基于Arm®32位核的多個(gè)系列,共享Renesas外設(shè)共同集,方便了設(shè)計(jì)的升級(jí)和基于平臺(tái)的有效的產(chǎn)品開(kāi)發(fā).
制造商:Panasonic 產(chǎn)品種類:鋁質(zhì)電解電容器-SMD RoHS: 詳細(xì)信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:HA-V High 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 電容:22 uF 電壓額定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 105 C 直徑:5 mm 長(zhǎng)度:5.5 mm 高度:5.4 mm 壽命:1000 Hour 紋波電流:35 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:Surface Mount Type 商標(biāo):Panasonic 產(chǎn)品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數(shù)量:1000 子類別:Capacitors 單位重量:200 mg
新工藝80V N溝道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”產(chǎn)品線中新增了四位“新成員”,該系列產(chǎn)品專門(mén)用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)式電源。
其中,“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)貼片式封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)圖案的工業(yè)兼容性;“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封裝技術(shù)。
通過(guò)采用最新工藝的U-MOSX-H制程和一種低壓溝槽結(jié)構(gòu),這幾款新產(chǎn)品具有行業(yè)領(lǐng)先的低漏源導(dǎo)通電阻。
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