防護(hù)與安全特性包括了AES128/192/256,3DES/ARC4, SHA1/SHA224/SHA256/MD5, GHASH,RSA/DSA/ECC以及隨機(jī)號(hào)碼發(fā)生器(TRNG).

工作電壓2.7V到3.6V,工作溫度-40°C到+85°C.主要用在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用以及安全裝置(火災(zāi)探測(cè),防盜檢測(cè),面板控制),表計(jì)類產(chǎn)品(電力,自動(dòng)抄表),工業(yè)應(yīng)用(機(jī)器人,開門器,縫紉機(jī),自動(dòng)售貨機(jī),UPS),健康管理和可穿戴人體傳感器與智能家居和遙控玩具.

這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

制造商:Power Integrations 產(chǎn)品種類:專業(yè)電源管理 (PMIC) 類型:Battery Management 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 輸入電壓范圍:18 V to 24 V 最小工作溫度:- 10 C 最大工作溫度:+ 105 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產(chǎn)品:Capacitor Discharge IC 商標(biāo):Power Integrations 工作電源電流:21.7 uA 工作電源電壓:230 VAC 產(chǎn)品類型:Power Management Specialized - PMIC 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:506.600 mg

通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，還提高了導(dǎo)通電阻與輸出電荷之間的互商性，從而可減少導(dǎo)通損耗并有助于降低設(shè)備能耗。這幾款新產(chǎn)品沿襲了現(xiàn)有工藝U-MOSVIII-H的低柵極開關(guān)電荷特性，因此降低了“漏源導(dǎo)通電阻與柵極開關(guān)電荷的乘積”，該值為開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)品質(zhì)因數(shù)。

-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。

Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。

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