同步整流和FluxLink反饋散熱或空氣流動(dòng)可以提高輸出電流
發(fā)布時(shí)間:2021/6/20 10:38:03 訪問次數(shù):337
InnoSwitch3-EP系列是離線CV/CC QR反饋開關(guān)集成電路,集成了初級(jí)開關(guān),同步整流和FluxLink反饋.
器件集成了多種保護(hù)特性包括線路過壓和欠壓保護(hù),輸出過壓和過流限制,以及超溫關(guān)斷,從而大大地簡化了反激功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,特別是那些需要高效率和緊湊尺寸的電源.
采用外接輸出檢測電阻可調(diào)整精確的輸出電流,其PowiGaN™技術(shù)在沒有散熱器的情況下功率高達(dá)100W (INN3678C,INN3679C和 INN3670C).
器件在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有非常高的效率,極好的CV/CC精確度,并和外接元件無關(guān).
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:4 VQg-柵極電荷:36 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:70 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:STripFET封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:STD80N4F6晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):STMicroelectronics下降時(shí)間:11.9 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:7.6 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46.1 ns典型接通延遲時(shí)間:10.5 ns單位重量:330 mg
電路在降壓模式下可以提供最高35A的輸出電流,在升壓模式下可以提供7A電流。DC2351A 演示電路還能與其他DC2351A 板并聯(lián),通過充分的散熱或空氣流動(dòng)可以提高輸出電流。
此外,還具有很多其他功能,包括SPI兼容串行接口、不連續(xù)或連續(xù)工作模式、過壓和欠壓監(jiān)控器、適用于降壓和升壓操作的獨(dú)立回路補(bǔ)償、精確的感應(yīng)電流監(jiān)控,以及過電流保護(hù)等功能。
為了便于評(píng)估,Analog Devices LT8228演示電路DC2351A,它設(shè)計(jì)為一側(cè)支持36V至54V電壓,另一側(cè)支持8V至14V電壓。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
InnoSwitch3-EP系列是離線CV/CC QR反饋開關(guān)集成電路,集成了初級(jí)開關(guān),同步整流和FluxLink反饋.
器件集成了多種保護(hù)特性包括線路過壓和欠壓保護(hù),輸出過壓和過流限制,以及超溫關(guān)斷,從而大大地簡化了反激功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,特別是那些需要高效率和緊湊尺寸的電源.
采用外接輸出檢測電阻可調(diào)整精確的輸出電流,其PowiGaN™技術(shù)在沒有散熱器的情況下功率高達(dá)100W (INN3678C,INN3679C和 INN3670C).
器件在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有非常高的效率,極好的CV/CC精確度,并和外接元件無關(guān).
制造商:STMicroelectronics產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-252-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:4 VQg-柵極電荷:36 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:70 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:STripFET封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:STD80N4F6晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):STMicroelectronics下降時(shí)間:11.9 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:7.6 ns工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46.1 ns典型接通延遲時(shí)間:10.5 ns單位重量:330 mg
電路在降壓模式下可以提供最高35A的輸出電流,在升壓模式下可以提供7A電流。DC2351A 演示電路還能與其他DC2351A 板并聯(lián),通過充分的散熱或空氣流動(dòng)可以提高輸出電流。
此外,還具有很多其他功能,包括SPI兼容串行接口、不連續(xù)或連續(xù)工作模式、過壓和欠壓監(jiān)控器、適用于降壓和升壓操作的獨(dú)立回路補(bǔ)償、精確的感應(yīng)電流監(jiān)控,以及過電流保護(hù)等功能。
為了便于評(píng)估,Analog Devices LT8228演示電路DC2351A,它設(shè)計(jì)為一側(cè)支持36V至54V電壓,另一側(cè)支持8V至14V電壓。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 碳化硅(SiC)配置選項(xiàng)以進(jìn)一步提高開關(guān)頻率
- 125/250VAC時(shí)的額定電流高達(dá)15A較
- 在0.3-200m范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)10%反射率目
- 工作頻率高達(dá)200MHz 448KB支持奇偶
- 模塊的功率很低12 VDC的電壓的電流僅為5
- 氮化鎵器件替代功率MOSFET的速度將繼續(xù)加
- 光子人工智能芯片的耗電量只有4W甚至是微瓦M(jìn)
- NSA(C)9262內(nèi)部集成雙通道高精度模擬
- 數(shù)據(jù)包切換器PI7C9X3G808GP支持可
- 電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)中無刷電機(jī)通訊的
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- Vision Booster視
- 輕薄多模態(tài)AI交互和專業(yè)影像系統(tǒng)
- MIPS 架構(gòu)
- 芯片探針測試(Wafer Ac
- TEE 架構(gòu)RV-ACRN H
- NV-RVV(NV-RISCV32增加向量運(yùn)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究