待機(jī)電源和偏壓電源以及公用表可沉入高達(dá)130mA LED電流
發(fā)布時(shí)間:2021/6/20 10:50:23 訪問次數(shù):192
MAX20446B是帶升壓/SEPIC控制器,混合調(diào)光和I2C接口的6路背景光驅(qū)動(dòng)器,每路電流輸出可沉入高達(dá)130mA LED電流.器件的輸入電壓從4.5V到36V,能經(jīng)受住汽車負(fù)載突降的影響.
集成的擴(kuò)頻有助于降低EMI.自適應(yīng)的輸出電壓控制方案最小化LED電流沉入通路的功耗.
器件具有I2C控制的脈寬調(diào)制(PWM)調(diào)光和混合調(diào)光.LED串的可選擇相移調(diào)光可降低EMI.
采用混合調(diào)光的調(diào)光比大于10000:1,200Hz時(shí)采用PWM調(diào)光時(shí)調(diào)光比為10000:1.器件工作溫度-40 到 +125C,采用4mm x 4mm 24引腳TQFN封裝.主要用在汽車娛樂顯示,中心信息顯示和儀表盤.
制造商:Vishay產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:8 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:12 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:33 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:TrenchFET封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:1.04 mm長度:3.3 mm系列:SQ晶體管類型:1 N-Channel寬度:3.3 mm商標(biāo):Vishay Semiconductors正向跨導(dǎo) - 最小值:11 S下降時(shí)間:8 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:9 ns工廠包裝數(shù)量:3000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns單位重量:1 g
EN61000-4-2, 4-3 (30 V/m), 4-4, 4-5, 4-6, 4-8 (100 A/m) 和4-9 (1000 A/m).
主要用在家用電器,計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的輔助電源,待機(jī)電源和偏壓電源以及公用表,智能電網(wǎng)和工業(yè)電源.
器件具有增強(qiáng)的絕緣特性,絕緣電壓大于4000VAC,滿足UL1577和TUV (EN60950 和EN62368)安全認(rèn)證,具有極好的噪音防衛(wèi)度性能A級(jí)設(shè)計(jì): EN61000-4 suite.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
MAX20446B是帶升壓/SEPIC控制器,混合調(diào)光和I2C接口的6路背景光驅(qū)動(dòng)器,每路電流輸出可沉入高達(dá)130mA LED電流.器件的輸入電壓從4.5V到36V,能經(jīng)受住汽車負(fù)載突降的影響.
集成的擴(kuò)頻有助于降低EMI.自適應(yīng)的輸出電壓控制方案最小化LED電流沉入通路的功耗.
器件具有I2C控制的脈寬調(diào)制(PWM)調(diào)光和混合調(diào)光.LED串的可選擇相移調(diào)光可降低EMI.
采用混合調(diào)光的調(diào)光比大于10000:1,200Hz時(shí)采用PWM調(diào)光時(shí)調(diào)光比為10000:1.器件工作溫度-40 到 +125C,采用4mm x 4mm 24引腳TQFN封裝.主要用在汽車娛樂顯示,中心信息顯示和儀表盤.
制造商:Vishay產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:8 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:50 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:12 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:33 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101商標(biāo)名:TrenchFET封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:1.04 mm長度:3.3 mm系列:SQ晶體管類型:1 N-Channel寬度:3.3 mm商標(biāo):Vishay Semiconductors正向跨導(dǎo) - 最小值:11 S下降時(shí)間:8 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:9 ns工廠包裝數(shù)量:3000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns單位重量:1 g
EN61000-4-2, 4-3 (30 V/m), 4-4, 4-5, 4-6, 4-8 (100 A/m) 和4-9 (1000 A/m).
主要用在家用電器,計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的輔助電源,待機(jī)電源和偏壓電源以及公用表,智能電網(wǎng)和工業(yè)電源.
器件具有增強(qiáng)的絕緣特性,絕緣電壓大于4000VAC,滿足UL1577和TUV (EN60950 和EN62368)安全認(rèn)證,具有極好的噪音防衛(wèi)度性能A級(jí)設(shè)計(jì): EN61000-4 suite.
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