增強(qiáng)型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM)
發(fā)布時(shí)間:2021/6/21 13:27:05 訪問次數(shù):648
Maxim的基礎(chǔ)模擬IC整合了先進(jìn)的低功耗、高性能、單一功能產(chǎn)品,適用于各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,為下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新提供保障。
作為全球先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)企業(yè),三星宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)全新智能手機(jī)內(nèi)存解決方案:基于UFS多芯片封裝(UFS-based Multichip Package,uMCP)的LPDDR5。
三星最新LPDDR5 uMCP基于先進(jìn)的內(nèi)存和封裝技術(shù),讓消費(fèi)者即便在低端設(shè)備上,也能享受無縫的流媒體、游戲和混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:精密放大器 系列: CMRR - 共模抑制比:97 dB 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VSSOP-8 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:0.86 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長(zhǎng)度:3 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Precision Amplifiers 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3 mm 商標(biāo):Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.01 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:3 V, 5 V 產(chǎn)品類型:Precision Amplifiers PSRR - 電源抑制比:83 dB 1000 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:120 dB 單位重量:140 mg
新的、集成的、轉(zhuǎn)換器-逆變器-功率因數(shù)校正 (PFC) 模塊,用于在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服驅(qū)動(dòng)和暖通空調(diào) (HVAC) 中驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和泵等應(yīng)用的電機(jī)。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分別是基于標(biāo)準(zhǔn)氧化鋁 (AI2O3) 基板和增強(qiáng)型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 。
這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強(qiáng)固工業(yè)應(yīng)用,它們包含一個(gè)轉(zhuǎn)換器-逆變器-PFC電路,由集成四個(gè)75 A、1600 V整流器的單相轉(zhuǎn)換器組成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Maxim的基礎(chǔ)模擬IC整合了先進(jìn)的低功耗、高性能、單一功能產(chǎn)品,適用于各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,為下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新提供保障。
作為全球先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)企業(yè),三星宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)全新智能手機(jī)內(nèi)存解決方案:基于UFS多芯片封裝(UFS-based Multichip Package,uMCP)的LPDDR5。
三星最新LPDDR5 uMCP基于先進(jìn)的內(nèi)存和封裝技術(shù),讓消費(fèi)者即便在低端設(shè)備上,也能享受無縫的流媒體、游戲和混合現(xiàn)實(shí)體驗(yàn)。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:精密放大器 系列: CMRR - 共模抑制比:97 dB 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VSSOP-8 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:0.86 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長(zhǎng)度:3 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產(chǎn)品:Precision Amplifiers 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 寬度:3 mm 商標(biāo):Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.01 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:3 V, 5 V 產(chǎn)品類型:Precision Amplifiers PSRR - 電源抑制比:83 dB 1000 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:120 dB 單位重量:140 mg
新的、集成的、轉(zhuǎn)換器-逆變器-功率因數(shù)校正 (PFC) 模塊,用于在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、伺服驅(qū)動(dòng)和暖通空調(diào) (HVAC) 中驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和泵等應(yīng)用的電機(jī)。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分別是基于標(biāo)準(zhǔn)氧化鋁 (AI2O3) 基板和增強(qiáng)型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 。
這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強(qiáng)固工業(yè)應(yīng)用,它們包含一個(gè)轉(zhuǎn)換器-逆變器-PFC電路,由集成四個(gè)75 A、1600 V整流器的單相轉(zhuǎn)換器組成。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 隔空智能的微波雷達(dá)傳感器AT5815的功耗0
- 130x140mm單通道IGBT大功率模塊的
- 穩(wěn)定電流的關(guān)鍵元件是輸出端的功率電感器可達(dá)1
- 有源鉗位反激或正激變換器及無橋圖騰柱PFC
- 三個(gè)Arm Cortex-M7雙核同步機(jī)制核
- 6盤位的TVS-672X和8盤位的TVS-8
- 夾片式FlatPower封裝內(nèi)部集成24bi
- 725V功率MOSFET和ON/OFF控制狀
- SOT323-3L封裝TVS相比新產(chǎn)品可節(jié)省
- 電容低至0.5 pF鉗位電壓3V高達(dá)10A
推薦技術(shù)資料
- MOSFET 電感單片降壓開關(guān)模式變換器優(yōu)勢(shì)
- SiC MOSFET 和 IG
- 新型 電隔離無芯線性霍爾效應(yīng)電
- 業(yè)界超小絕對(duì)位置編碼器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- 高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術(shù)應(yīng)用探究
- MagAlpha 角度位置傳感
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究