1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產品系列。

隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術，適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓，易于用負門極電壓驅動。

制造商:Analog Devices Inc.產品種類:數(shù)模轉換器- DACRoHS: 系列:分辨率:16 bit通道數(shù)量:1 Channel穩(wěn)定時間:1 us輸出類型:Voltage Unbuffered接口類型:3-Wire, Microwire, SPI電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:5.5 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:MSOP-10封裝:Reel特點:Monotonic Over Temperature, Power-On Reset Clears DAC Output轉換器數(shù)量:1 Converter產品:DAC - Voltage Output DACs類型:General Purpose商標:Analog Devices參考類型:Internal, Supply關閉:No ShutdownDNL - 微分非線性:0.5 LSB增益誤差:2 LSBINL - 積分非線性:0.5 LSB工作電源電流:120 uAPd-功率耗散:0.36 mW產品類型:DACs - Digital to Analog Converters參考電壓:2 V to 5 VSNR – 信噪比:92 dB2500子類別:Data Converter ICs

鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面臨的挑戰(zhàn)。

新的SiC MOSFET模塊是安森美半導體電動車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，被設計為與NCD5700x器件等驅動器方案一起使用。

NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。

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