雙電源軌允許裝置在SCL/SDA端與低功耗微芯片連接
發(fā)布時(shí)間:2021/6/22 22:22:06 訪問次數(shù):245
SiC MOSFET與新的模塊和門極驅(qū)動(dòng)器相輔相成，比類似的硅器件提供更勝一籌的開關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。
最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，使(RDS(on)*area) 的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 達(dá)到同類最佳。
1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動(dòng)車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。
使用這些裝置，無需使用外部電壓電位轉(zhuǎn)換器，可簡化全新 ADAS 和車載資通訊系統(tǒng)的設(shè)計(jì)作業(yè)，也降低 BOM 成本。
這兩款裝置在 GPIO 端口側(cè)的操作電壓為 1.65V 至 5.5V。在 SCL/SDA 端 (I2C 接口)，PI4IOE5V6416Q 的操作電壓為 1.65V 至 5.5V，PI4IOE5V6534Q 為 0.8V 至 3.6V。
這種雙電源軌允許裝置在 SCL/SDA 端與新世代低功耗微芯片連接。擴(kuò)充器的待機(jī)電流消耗極低，PI4IOE5V6416Q 在 5V 時(shí)為 1.5μA，在 3.3V 時(shí)為 1μA，PI4IOE5V6434Q 在 3.3V 時(shí)為 2μA。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
SiC MOSFET與新的模塊和門極驅(qū)動(dòng)器相輔相成，比類似的硅器件提供更勝一籌的開關(guān)性能和增強(qiáng)的散熱性，令能效和功率密度更高，電磁干擾 (EMI) 得以改善，并減小系統(tǒng)尺寸和重量。
最近發(fā)布的 650 V SiC MOSFET 采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，使(RDS(on)*area) 的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 達(dá)到同類最佳。
1200 V和900 V N溝道SiC MOSFET芯片尺寸小，減少了器件電容和門極電荷（Qg - 低至220 nC），從而減少電動(dòng)車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。
使用這些裝置，無需使用外部電壓電位轉(zhuǎn)換器，可簡化全新 ADAS 和車載資通訊系統(tǒng)的設(shè)計(jì)作業(yè)，也降低 BOM 成本。
這兩款裝置在 GPIO 端口側(cè)的操作電壓為 1.65V 至 5.5V。在 SCL/SDA 端 (I2C 接口)，PI4IOE5V6416Q 的操作電壓為 1.65V 至 5.5V，PI4IOE5V6534Q 為 0.8V 至 3.6V。
這種雙電源軌允許裝置在 SCL/SDA 端與新世代低功耗微芯片連接。擴(kuò)充器的待機(jī)電流消耗極低，PI4IOE5V6416Q 在 5V 時(shí)為 1.5μA，在 3.3V 時(shí)為 1μA，PI4IOE5V6434Q 在 3.3V 時(shí)為 2μA。
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