可靠性是碳化硅器件使用受限的主要問題。在高壓功率模塊中的應(yīng)用不僅是半導(dǎo)體芯片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。

在當(dāng)前的碳化硅封裝中，功率密度提高以及開關(guān)頻率都會(huì)導(dǎo)致焊接性能劣化，很難抑制芯片中隨著時(shí)間的推移而增加的導(dǎo)通電阻。銀燒結(jié)技術(shù)可以顯著降低這種退化。而銀燒結(jié)層的熱電阻僅為焊接層的一半，從而使模塊中的芯片可以更加緊密地靠近，從而縮小了尺寸。

東芝將此新技術(shù)命名為iXPLV，將應(yīng)用于3.3kV級(jí)碳化硅功率模塊的批量生產(chǎn)。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:緩沖器和線路驅(qū)動(dòng)器 輸入線路數(shù)量:6 Input 輸出線路數(shù)量:6 Output 極性:Non-Inverting 高電平輸出電流:- 5.2 mA 低電平輸出電流:5.2 mA 靜態(tài)電流:2 uA 電源電壓-最大:6 V 電源電壓-最小:2 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:CDIP-16 封裝:Tube 功能:Buffer/Converter 高度:4.57 mm 長度:19.56 mm 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 技術(shù):CMOS 寬度:6.92 mm 商標(biāo):Texas Instruments 邏輯系列:HC 邏輯類型:CMOS 通道數(shù)量:5 電源電流—最大值:2 uA 輸入信號(hào)類型:Single-Ended 工作電源電壓:2 V to 6 V 產(chǎn)品類型:Buffers & Line Drivers 傳播延遲時(shí)間:85 ns at 2 V, 17 ns at 4.5 V, 14 ns at 6 V 工廠包裝數(shù)量1 子類別:Logic ICs

會(huì)產(chǎn)生殘余彈性能，以提供維持金屬界面間接觸的必要的正向力，從而產(chǎn)生清潔、穩(wěn)定且氣密的電氣連接；

適用于絕緣刺破連接（IDC）技術(shù)，無需焊接和/或焊合；

設(shè)計(jì)緊湊，節(jié)省空間；

獨(dú)特的端子設(shè)計(jì)包括4個(gè)穿透電線絕緣層的毛刺，無需從漆包線和引線上剝?nèi)ケ∧そ^緣層，節(jié)省時(shí)間和人工成本。

新型SIAMEZE端子能夠?yàn)殇X漆包線提供線對(duì)線、線對(duì)插片槽、線對(duì)PCB插片的端子配置，提供靈活的設(shè)計(jì)選項(xiàng)。

應(yīng)用產(chǎn)品：電動(dòng)機(jī)、風(fēng)扇、電磁閥、變壓器、線圈、制動(dòng)器、鎮(zhèn)流器電源。

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