“PSR系列”擁有從0.1mΩ～3.0mΩ的超低阻值陣容，與“GMR系列”同為小型封裝，都支持大功率和高精度檢測，有助于汽車和工業(yè)設備實現(xiàn)小型化。

與此同時，對于作為大功率分流電阻器獲得高度好評的“PSR系列”，通過施以引腳溫度降額，將額定功率的保證值擴展至最大15W，并且還改善了電阻溫度系數(shù)的規(guī)格值。

新產(chǎn)品“GMR320”已于2021年2月開始量產(chǎn)（300日元/個，不含稅）。前期工序和后期工序的生產(chǎn)基地均為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:射頻微控制器 - MCU 工作頻率:300 MHz to 928 MHz 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 程序存儲器大小:32 kB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 kB 最大時鐘頻率:25 MHz ADC分辨率:10 bit 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-64 安裝風格:SMD/SMT 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 程序存儲器類型:Flash 技術:Si 商標:Texas Instruments 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:Serial, USCI 輸入/輸出端數(shù)量:44 I/O 最小工作溫度:- 40 C 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:8 定時器數(shù)量:8 處理器系列:CC430 RF 產(chǎn)品類型:RF Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量2000 子類別:Wireless & RF Integrated Circuits 電源電壓-最大:3.6 v 電源電壓-最小:1.8 V 單位重量:227.400 mg

MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。

作為意法半導體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導體的應用設計。

MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。