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導(dǎo)通電阻有效增加日間成像動(dòng)態(tài)范圍及最大信噪比

發(fā)布時(shí)間:2021/6/27 21:33:35 訪問(wèn)次數(shù):239

在日間光線充足的應(yīng)用場(chǎng)景,SC233A與SC223A憑借思特威特有的PixGainTM技術(shù),滿阱電子提升超過(guò)2倍,有效增加了日間成像的動(dòng)態(tài)范圍及最大信噪比。

SC233A及SC223A較前代DSI-1產(chǎn)品在色彩呈現(xiàn)力上也更加出色,色彩飽和度Chroma提升20%,不僅暗光下的全彩效果更佳,在白天也能提供色彩更為艷麗的影像。

實(shí)現(xiàn)了白天+夜間的成像性能雙升級(jí),同時(shí),為了滿足客戶高端應(yīng)用的需求,SC233A還可支持60幀+HDR Mode影像輸出。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 接口類(lèi)型:2-Wire, I2C 存儲(chǔ)容量:128 kbit 組織:16 k x 8 電源電壓-最小:2.5 V 電源電壓-最大:6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 最大時(shí)鐘頻率:400 kHz 訪問(wèn)時(shí)間:900 ns 數(shù)據(jù)保留:100 Year 電源電流—最大值:3 mA 封裝:Reel 商標(biāo):ON Semiconductor 工作電源電流:3 mA 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 產(chǎn)品類(lèi)型:EEPROM 子類(lèi)別:Memory & Data Storage 單位重量:540 mg

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。

新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車(chē)應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車(chē)級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,同時(shí)增加功率密度提高輸出。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

在日間光線充足的應(yīng)用場(chǎng)景,SC233A與SC223A憑借思特威特有的PixGainTM技術(shù),滿阱電子提升超過(guò)2倍,有效增加了日間成像的動(dòng)態(tài)范圍及最大信噪比。

SC233A及SC223A較前代DSI-1產(chǎn)品在色彩呈現(xiàn)力上也更加出色,色彩飽和度Chroma提升20%,不僅暗光下的全彩效果更佳,在白天也能提供色彩更為艷麗的影像。

實(shí)現(xiàn)了白天+夜間的成像性能雙升級(jí),同時(shí),為了滿足客戶高端應(yīng)用的需求,SC233A還可支持60幀+HDR Mode影像輸出。

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通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。

新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平,可提高汽車(chē)應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝,10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車(chē)級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,同時(shí)增加功率密度提高輸出。

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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