集成式快速開關(guān)50 A IGBT的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與MOSFET媲美。

較之常規(guī)的碳化硅MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn)95％至97％的系統(tǒng)效率。

此外，CoolSiC肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低30%。

由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:MDIP-8 通道數(shù)量:1 Channel 電源電壓-最大:15.5 V GBP-增益帶寬產(chǎn)品:100 kHz SR - 轉(zhuǎn)換速率 :35 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :800 uV 電源電壓-最小:4.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C Ib - 輸入偏流:10 fA 工作電源電流:32 uA 關(guān)閉:No Shutdown en - 輸入電壓噪聲密度:83 nV/sqrt Hz 放大器類型:General Purpose Amplifier 高度:3.3 mm 長(zhǎng)度:10.16 mm 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 類型:General Purpose Amplifiers 寬度:6.35 mm 商標(biāo):Texas Instruments In—輸入噪聲電流密度:0.0002 pA/sqrt Hz 工作電源電壓:5 V, 9 V, 12 V, 15 V 產(chǎn)品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:66 dB 子類別:Amplifier ICs 電壓增益 dB:132.04 dB 單位重量:762 mg

EPC21603采用LVDS邏輯電路來控制，能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實(shí)現(xiàn)高達(dá)10A的激光驅(qū)動(dòng)電流。

EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN®FET），采用芯片級(jí)BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。

LVDS邏輯控制允許通過FPGA來控制eToF激光驅(qū)動(dòng)集成電路，用于必需具備抗噪聲干擾能力的應(yīng)用，例如增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)。