SiC/IGBT電源模塊的智能機(jī)械設(shè)計(jì)產(chǎn)生適應(yīng)的頻率
發(fā)布時間:2021/6/30 20:24:38 訪問次數(shù):266
電容器的尺寸與當(dāng)前和即將推出的 IGBT 電源模塊兼容,能優(yōu)化在直流鏈路應(yīng)用中的占用空間和性能。
模塊化電容器有很多優(yōu)勢,主要包括體積小、成本低、標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)、低雜散電感,以及高電流和能量密度。此外,ModCap 還采用適合當(dāng)前 SiC/IGBT 電源模塊的智能機(jī)械設(shè)計(jì),為業(yè)內(nèi)帶來最接近“即插即用”的應(yīng)用體驗(yàn)。
作為一種標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品,ModCap 滿足 EN 45545-2、IEC 61071、IEC61881-1 和 UL 等多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。我們交付的所有產(chǎn)品均經(jīng)過全面測試驗(yàn)證,并隨附所有必要的文檔。
制造商: SanDisk
產(chǎn)品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: SDSDQAF3
產(chǎn)品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 16 GB
連續(xù)寫入: 50 MB/s
連續(xù)讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 25 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標(biāo): SanDisk
NAND閃存技術(shù): MLC
產(chǎn)品類型: Memory Cards
工廠包裝數(shù)量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 3.656 g

CrossLink-NX系列是低功耗FPGA,特別應(yīng)用在嵌入可視應(yīng)用,支持各種高帶寬傳感器和顯示接口,視頻處理和機(jī)器學(xué)習(xí)推理.
它的處理特性包括高達(dá)39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達(dá)1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).
以太網(wǎng)域從兩個不同APLL來產(chǎn)生適應(yīng)的頻率,RF時鐘域的輸出產(chǎn)生非常低相位噪音的時鐘以用于ADC/DAC電路.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
電容器的尺寸與當(dāng)前和即將推出的 IGBT 電源模塊兼容,能優(yōu)化在直流鏈路應(yīng)用中的占用空間和性能。
模塊化電容器有很多優(yōu)勢,主要包括體積小、成本低、標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)、低雜散電感,以及高電流和能量密度。此外,ModCap 還采用適合當(dāng)前 SiC/IGBT 電源模塊的智能機(jī)械設(shè)計(jì),為業(yè)內(nèi)帶來最接近“即插即用”的應(yīng)用體驗(yàn)。
作為一種標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品,ModCap 滿足 EN 45545-2、IEC 61071、IEC61881-1 和 UL 等多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。我們交付的所有產(chǎn)品均經(jīng)過全面測試驗(yàn)證,并隨附所有必要的文檔。
制造商: SanDisk
產(chǎn)品種類: 存儲卡
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: SDSDQAF3
產(chǎn)品: MicroSD Cards
配置: MLC
存儲容量: 16 GB
連續(xù)寫入: 50 MB/s
連續(xù)讀取: 80 MB/s
接口類型: UHS-I (SDR104)
工作電源電壓: 2.7 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 25 C
最大工作溫度: + 85 C
性能: Speed Class 10 U1
商標(biāo): SanDisk
NAND閃存技術(shù): MLC
產(chǎn)品類型: Memory Cards
工廠包裝數(shù)量: 120
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 3.656 g

CrossLink-NX系列是低功耗FPGA,特別應(yīng)用在嵌入可視應(yīng)用,支持各種高帶寬傳感器和顯示接口,視頻處理和機(jī)器學(xué)習(xí)推理.
它的處理特性包括高達(dá)39K邏輯單元,56個18x18乘法器,2.9Mb嵌入存儲器(由EBR和LRAM區(qū)塊組成),分布式存儲器,DRAM接口(支持DDR3,DDR3L,LPDDR2和LPDDR3,高達(dá)1066 Mbpsx16數(shù)據(jù)寬).
以太網(wǎng)域從兩個不同APLL來產(chǎn)生適應(yīng)的頻率,RF時鐘域的輸出產(chǎn)生非常低相位噪音的時鐘以用于ADC/DAC電路.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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