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在Armv8-M的高速MIPI顯示接口支持30FPS的響應(yīng)速度

發(fā)布時間:2021/7/2 12:59:36 訪問次數(shù):569

RK2108D采用HiFi3 DSP＋ ARM M4F雙核架構(gòu)，基于高性能DSP，RK2108D具備2D 渲染算子加速能力；經(jīng)實測，當(dāng)手表秒針旋轉(zhuǎn)1格，其他Arm渲染方案通常需要需要約10ms，RK2108D渲染時間僅約1ms，大幅提升產(chǎn)品各項功能的響應(yīng)速度。

RK2108D具備高速MIPI顯示接口，支持硬件圖層疊加，支持最高每秒60FPS刷屏幀率，其他大部分方案僅支持30FPS.

在滑動表盤或進行其他操控動作時，基于RK2108D方案的產(chǎn)品觸控手感更靈敏，不卡頓。

同時經(jīng)實測，在深度待機模式下，芯片功耗為0。制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 晶體管類型:2 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:750 mg

32位Arm®Cortex®-M微控制器（MCU）獲得PSA 2級認(rèn)證和IoT平臺安全評估標(biāo)準(zhǔn)（SESIP）認(rèn)證。

配備靈活配置軟件包（FSP）的RA6M4 MCU已通過PSA 2級認(rèn)證，在RA4和RA6系列MCU獲得PSA 1級認(rèn)證的基礎(chǔ)上進一步進行擴展。

瑞薩RA6M3、RA6M4和RA4M2 MCU產(chǎn)品群均已通過“物理和邏輯攻擊者”防護認(rèn)證的SESIP1標(biāo)準(zhǔn)。

除被廣泛認(rèn)可的行業(yè)認(rèn)證外，瑞薩RA MCU還通過在Armv8-M的Arm TrustZone®基礎(chǔ)上結(jié)合經(jīng)NIST CAVP認(rèn)證的安全加密引擎，為客戶打造先進的物聯(lián)網(wǎng)安全性。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

RK2108D采用HiFi3 DSP＋ ARM M4F雙核架構(gòu)，基于高性能DSP，RK2108D具備2D 渲染算子加速能力；經(jīng)實測，當(dāng)手表秒針旋轉(zhuǎn)1格，其他Arm渲染方案通常需要需要約10ms，RK2108D渲染時間僅約1ms，大幅提升產(chǎn)品各項功能的響應(yīng)速度。

RK2108D具備高速MIPI顯示接口，支持硬件圖層疊加，支持最高每秒60FPS刷屏幀率，其他大部分方案僅支持30FPS.

在滑動表盤或進行其他操控動作時，基于RK2108D方案的產(chǎn)品觸控手感更靈敏，不卡頓。

同時經(jīng)實測，在深度待機模式下，芯片功耗為0。制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:7.6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:33.7 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 晶體管類型:2 P-Channel 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:16.6 S 下降時間:30.9 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:14.7 ns 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:53.7 ns 典型接通延遲時間:6.9 ns 單位重量:750 mg

32位Arm®Cortex®-M微控制器（MCU）獲得PSA 2級認(rèn)證和IoT平臺安全評估標(biāo)準(zhǔn)（SESIP）認(rèn)證。

配備靈活配置軟件包（FSP）的RA6M4 MCU已通過PSA 2級認(rèn)證，在RA4和RA6系列MCU獲得PSA 1級認(rèn)證的基礎(chǔ)上進一步進行擴展。

瑞薩RA6M3、RA6M4和RA4M2 MCU產(chǎn)品群均已通過“物理和邏輯攻擊者”防護認(rèn)證的SESIP1標(biāo)準(zhǔn)。

除被廣泛認(rèn)可的行業(yè)認(rèn)證外，瑞薩RA MCU還通過在Armv8-M的Arm TrustZone®基礎(chǔ)上結(jié)合經(jīng)NIST CAVP認(rèn)證的安全加密引擎，為客戶打造先進的物聯(lián)網(wǎng)安全性。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

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