連續(xù)諧振模式(CRM)操作,器件還提供先進(jìn)的零電壓諧振谷(ZV-RVS)和突發(fā)模式,一支持整個(gè)負(fù)載范圍和寬輸出電壓范圍的最高效率.

600V高壓起動(dòng)單元,保證了快速充電和低待機(jī)功耗,支持無(wú)負(fù)載待機(jī)功耗小于75mW.

器件可配置緩升和低落保護(hù),可配置內(nèi)置軟起動(dòng),可配置突發(fā)模式進(jìn)入和退出捎帶小量延遲的電流閾值,可配置過(guò)流保護(hù),可配置輸出過(guò)壓保護(hù),可配置開(kāi)關(guān)頻率的抖動(dòng),可配置傳輸時(shí)延補(bǔ)償以得到精確的峰值電流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21無(wú)鹵素添加標(biāo)準(zhǔn).

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-3P-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV

Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

高度: mm

長(zhǎng)度: mm

寬度: mm

商標(biāo): Renesas Electronics

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 30

子類(lèi)別: MOSFETs

單位重量: 1.600 g

主要應(yīng)用

高速接口 IC，以及USB 3.1、USB 3.2、HDMI、FireWire 和Thunderbolt數(shù)據(jù)線

智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、可穿戴設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)組件

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

超低電容：1 MHz 條件下僅為~0.5 pF 或 ~0.6 pF

超低殘壓：8 A峰值電流條件下僅為~3.8 V

超小尺寸：400 x 200 μm (WL-CSP01005) 或 600 x 300 μm

滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)的ESD 保護(hù)性能：ESD接觸放電電壓可達(dá)15 kV

高達(dá)7 A的大浪涌電流負(fù)載能力，滿足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求

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