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64MHz實現超低電流消耗ESD接觸放電電壓可達15kV

發(fā)布時間:2021/7/4 13:52:19 訪問次數:329

每路集成的輸出沉電流高達130mA.器件采用餐.5V-36V寬輸入電壓,能經受住汽車負載突降事件.內部電流模式開關DC/DC控制器支持升壓或SEPIC拓撲,工作的頻率范圍為400kHz到2.2MHz.

EV12AQ60x模數轉換器(ADC)系列。新的EV12AQ600-FMC-EVM開發(fā)套件將成為實施混合信號子系統(tǒng)的寶貴工具。

該套件適用于與航空電子、軍事、航天、電信、工業(yè)和高能物理應用相關的原型設計工作,可用于評估該公司的EV12AQ600和EV12AQ605的12位四通道ADC的運作。

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 115 mA

Rds On-漏源導通電阻: 1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.2 mm

長度: 2.9 mm

產品: MOSFET Small Signal

系列: 2N7002

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 1.3 mm

商標: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值: 0.08 S

產品類型: MOSFET

工廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

零件號別名: 2N7002_NL

單位重量: 8 mg

RE011500KB是基于SOTB™ 工藝技術,在運行和待機模式下以及低電壓(1.62V)下的高速運行 (64MHz)時都可實現超低電流消耗,而傳統(tǒng)主體硅工藝無法做到這一點.

RE01 1500KB 產品能夠顯著延長電池續(xù)航時間,即使在使用小電池和能量采集電源的應用中,也可以提供高性能.

新型保護元件的設計滿足IEC 61000-4-2標準,其ESD接觸放電電壓可達15 kV,大幅領先于標準要求。盡管它們尺寸小巧,但具有高達7 A的大浪涌電流負載能力,滿足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 標準要求。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

每路集成的輸出沉電流高達130mA.器件采用餐.5V-36V寬輸入電壓,能經受住汽車負載突降事件.內部電流模式開關DC/DC控制器支持升壓或SEPIC拓撲,工作的頻率范圍為400kHz到2.2MHz.

EV12AQ60x模數轉換器(ADC)系列。新的EV12AQ600-FMC-EVM開發(fā)套件將成為實施混合信號子系統(tǒng)的寶貴工具。

該套件適用于與航空電子、軍事、航天、電信、工業(yè)和高能物理應用相關的原型設計工作,可用于評估該公司的EV12AQ600和EV12AQ605的12位四通道ADC的運作。

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 115 mA

Rds On-漏源導通電阻: 1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 200 mW

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.2 mm

長度: 2.9 mm

產品: MOSFET Small Signal

系列: 2N7002

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 1.3 mm

商標: ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值: 0.08 S

產品類型: MOSFET

工廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

零件號別名: 2N7002_NL

單位重量: 8 mg

RE011500KB是基于SOTB™ 工藝技術,在運行和待機模式下以及低電壓(1.62V)下的高速運行 (64MHz)時都可實現超低電流消耗,而傳統(tǒng)主體硅工藝無法做到這一點.

RE01 1500KB 產品能夠顯著延長電池續(xù)航時間,即使在使用小電池和能量采集電源的應用中,也可以提供高性能.

新型保護元件的設計滿足IEC 61000-4-2標準,其ESD接觸放電電壓可達15 kV,大幅領先于標準要求。盡管它們尺寸小巧,但具有高達7 A的大浪涌電流負載能力,滿足IEC 61000-4-5 (8/20μs) 標準要求。


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