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三款新品的滿阱較主流同類產(chǎn)品提升最高可達50%

發(fā)布時間:2021/7/5 20:42:25 訪問次數(shù):254

在星光級夜視全彩、HDR高動態(tài)范圍、近紅外補光以及色彩呈現(xiàn)力等成像性能上均有著優(yōu)秀表現(xiàn)。

通過升級傳感器工藝進一步提升滿阱,三款新品的滿阱較主流同類產(chǎn)品提升最高可達50%,進而有效提高動態(tài)范圍及最大信噪比,細膩呈現(xiàn)每一處明暗細節(jié).

思特威還通過升級的色彩工藝,為SmartClarity®-2產(chǎn)品帶來了影院級色彩視效,再結(jié)合PixGain技術(shù)可支持High Gain及Low Gain的雙像素轉(zhuǎn)換增益成像,保障攝像頭晝、夜皆可輸出高品質(zhì)的視頻影像,滿足了新興智能安防應用場景的先進視覺的要求。

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動器

RoHS: 詳細信息

類型: High Side

安裝風格: SMD/SMT

激勵器數(shù)量: 4 Driver

輸出端數(shù)量: 4 Output

電源電壓-最小: 4.5 V

電源電壓-最大: 28 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: VNQ5E050AK-E

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

技術(shù): Si

商標: STMicroelectronics

最大關(guān)閉延遲時間: 35000 ns

最大開啟延遲時間: 20000 ns

濕度敏感性: Yes

工作電源電流: 14 mA

工作電源電壓: 13 V

產(chǎn)品類型: Gate Drivers

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: PMIC - Power Management ICs

單位重量: 470 mg

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動器,源電流1.5A,沉電流2A,增強隔離指標為5.7-kVRMS.

33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅(qū)動IGBT和SiC功率FET.

UCC23511-Q1能驅(qū)動高邊和低邊功率FET.引腳對引腳替代光隔離柵極驅(qū)動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


在星光級夜視全彩、HDR高動態(tài)范圍、近紅外補光以及色彩呈現(xiàn)力等成像性能上均有著優(yōu)秀表現(xiàn)。

通過升級傳感器工藝進一步提升滿阱,三款新品的滿阱較主流同類產(chǎn)品提升最高可達50%,進而有效提高動態(tài)范圍及最大信噪比,細膩呈現(xiàn)每一處明暗細節(jié).

思特威還通過升級的色彩工藝,為SmartClarity®-2產(chǎn)品帶來了影院級色彩視效,再結(jié)合PixGain技術(shù)可支持High Gain及Low Gain的雙像素轉(zhuǎn)換增益成像,保障攝像頭晝、夜皆可輸出高品質(zhì)的視頻影像,滿足了新興智能安防應用場景的先進視覺的要求。

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動器

RoHS: 詳細信息

類型: High Side

安裝風格: SMD/SMT

激勵器數(shù)量: 4 Driver

輸出端數(shù)量: 4 Output

電源電壓-最小: 4.5 V

電源電壓-最大: 28 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: VNQ5E050AK-E

資格: AEC-Q100

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

技術(shù): Si

商標: STMicroelectronics

最大關(guān)閉延遲時間: 35000 ns

最大開啟延遲時間: 20000 ns

濕度敏感性: Yes

工作電源電流: 14 mA

工作電源電壓: 13 V

產(chǎn)品類型: Gate Drivers

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: PMIC - Power Management ICs

單位重量: 470 mg

UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅(qū)動器,源電流1.5A,沉電流2A,增強隔離指標為5.7-kVRMS.

33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅(qū)動IGBT和SiC功率FET.

UCC23511-Q1能驅(qū)動高邊和低邊功率FET.引腳對引腳替代光隔離柵極驅(qū)動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態(tài)免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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