新產(chǎn)品采用一體化封裝，相比采用Si-MOSFET的普通分立產(chǎn)品配置，部件數(shù)量顯著減少，1個(gè)封裝內(nèi)包含多達(dá)12個(gè)部件（AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6）和散熱板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優(yōu)異的特點(diǎn)，還可實(shí)現(xiàn)降噪部件的小型化。

減少開(kāi)發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn)，內(nèi)置保護(hù)功能，可靠性顯著提高，新產(chǎn)品采用一體化封裝，可減少鉗位電路和驅(qū)動(dòng)電路的部件選型及可靠性評(píng)估的工時(shí)，可降低部件故障風(fēng)險(xiǎn)，可縮減引進(jìn)SiC MOSFET時(shí)的開(kāi)發(fā)周期，一舉多得。

TPS548B28具有快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng),精確的負(fù)載調(diào)整和線路調(diào)整,跳躍模式或FCCM工作和可編軟起動(dòng)時(shí)間.器件輸入范圍從4V到16V,無(wú)外接偏壓的電流高達(dá)20A,輸出電壓范圍從0.6V到5.5V.器件集成了7.7-mΩ和2.4-mΩ MOSFET,支持20A連續(xù)輸出電流,支持所有陶瓷輸出電容.

可選擇FCCM或自動(dòng)跳躍Eco模式以得到高的輕負(fù)載效率,引腳選擇開(kāi)關(guān)頻率600 kHz, 800kHz和1 MHz,可編電流限制,差分遙控檢測(cè)可得到高輸出精度,外接基準(zhǔn)輸入用來(lái)跟蹤,具有預(yù)偏壓起動(dòng)功能,開(kāi)漏極功率良好輸出,打嗝用于OC和UV故障,鎖定關(guān)閉用于OV故障.

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