傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出
發(fā)布時間:2021/7/8 13:18:47 訪問次數(shù):424
基礎(chǔ)模擬IC擁有Maxim在低功耗、高性能、單功能產(chǎn)品方面的一貫優(yōu)勢,有助于推動多種應(yīng)用和市場領(lǐng)域的下一代創(chuàng)新。
越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。
使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 電池管理
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: BQ77905
封裝: Tube
商標(biāo): Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Battery Management
工廠包裝數(shù)量: 70
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 77.200 mg

兩個獨(dú)立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅(qū)動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關(guān)或一個半橋驅(qū)動器,具有可編程的死區(qū)時間。
安森美半導(dǎo)體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET,它們比硅 MOSFET 提供更高能效。
在 230 Vac 電源輸入下,基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實(shí)現(xiàn)近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實(shí)現(xiàn)全功能圖騰柱 PFC,從而節(jié)省空間和器件成本。 進(jìn)一步減少器件數(shù),實(shí)現(xiàn)逐周期電流限制,無需霍爾效應(yīng)傳感器。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
基礎(chǔ)模擬IC擁有Maxim在低功耗、高性能、單功能產(chǎn)品方面的一貫優(yōu)勢,有助于推動多種應(yīng)用和市場領(lǐng)域的下一代創(chuàng)新。
越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。
使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 電池管理
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: BQ77905
封裝: Tube
商標(biāo): Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Battery Management
工廠包裝數(shù)量: 70
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 77.200 mg

兩個獨(dú)立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門極驅(qū)動器通道可用作兩個下橋、兩個上橋開關(guān)或一個半橋驅(qū)動器,具有可編程的死區(qū)時間。
安森美半導(dǎo)體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET,它們比硅 MOSFET 提供更高能效。
在 230 Vac 電源輸入下,基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實(shí)現(xiàn)近 99% 的能效。在外部只需幾個簡單的器件即可實(shí)現(xiàn)全功能圖騰柱 PFC,從而節(jié)省空間和器件成本。 進(jìn)一步減少器件數(shù),實(shí)現(xiàn)逐周期電流限制,無需霍爾效應(yīng)傳感器。
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