全球最小金屬電流感測(cè)電阻 - PA0100 (01005尺寸, 0.4mm x 0.2mm)。

國(guó)巨公司多年來(lái)致力于產(chǎn)品及技術(shù)之創(chuàng)新，此新產(chǎn)品的問(wèn)世突顯出其領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)能力，實(shí)現(xiàn)對(duì)客戶小尺寸需求的承諾。

機(jī)械精密加工工藝已無(wú)法滿足微小化與低精密公差規(guī)格需求，國(guó)巨利用半導(dǎo)體多項(xiàng)工藝制程完成開發(fā)實(shí)現(xiàn)微小化高精密電流感測(cè)器,微小尺寸精密公差是此制程的挑戰(zhàn)。

類型描述類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel®零件狀態(tài)在售FET 類型P 通道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8.9A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）295 毫歐 @ 4A，10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）4V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）3.7W（Ta），52W（Tc）工作溫度-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝PowerPAK® 1212-8封裝/外殼PowerPAK® 1212-8漏源電壓（Vdss）150 V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）42 nC @ 10 V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1190 pF @ 50 V基本產(chǎn)品編號(hào)SI7115

另外，在日本國(guó)內(nèi)，隨著相關(guān)法律法規(guī)的修訂，要求自2020年4月起，所有IoT設(shè)備都必須自帶更新功能，所以需要配備遠(yuǎn)程條件下的固件更新功能。

LAPIS Technology充分運(yùn)用在智能儀表領(lǐng)域擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的無(wú)線技術(shù)，解決了上述問(wèn)題，并成功開發(fā)出便于全世界推廣、且更為安全的Mesh網(wǎng)絡(luò)建設(shè)新產(chǎn)品。

新產(chǎn)品搭載了可高速運(yùn)行的32位CPU內(nèi)核“Arm®Cortex®-M3”，以及堪稱無(wú)線通信LSI業(yè)內(nèi)超高容量級(jí)別的1024KB內(nèi)存。