超高容量級(jí)別1024KB內(nèi)存實(shí)現(xiàn)微小化高精密電流感測(cè)器
發(fā)布時(shí)間:2021/7/9 19:09:14 訪問(wèn)次數(shù):570
全球最小金屬電流感測(cè)電阻 - PA0100 (01005尺寸, 0.4mm x 0.2mm)。
國(guó)巨公司多年來(lái)致力于產(chǎn)品及技術(shù)之創(chuàng)新,此新產(chǎn)品的問(wèn)世突顯出其領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)能力,實(shí)現(xiàn)對(duì)客戶小尺寸需求的承諾。
機(jī)械精密加工工藝已無(wú)法滿足微小化與低精密公差規(guī)格需求,國(guó)巨利用半導(dǎo)體多項(xiàng)工藝制程完成開發(fā)實(shí)現(xiàn)微小化高精密電流感測(cè)器,微小尺寸精密公差是此制程的挑戰(zhàn)。
這款產(chǎn)品還具有多達(dá)四個(gè)高邊開關(guān)(典型值7Ω),五個(gè)喚醒輸入,六個(gè)PWM輸入和監(jiān)控功能,非常完善。
類型描述類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®零件狀態(tài)在售FET 類型P 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)295 毫歐 @ 4A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)3.7W(Ta),52W(Tc)工作溫度-50°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝PowerPAK® 1212-8封裝/外殼PowerPAK® 1212-8漏源電壓(Vdss)150 V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)42 nC @ 10 V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1190 pF @ 50 V基本產(chǎn)品編號(hào)SI7115
另外,在日本國(guó)內(nèi),隨著相關(guān)法律法規(guī)的修訂,要求自2020年4月起,所有IoT設(shè)備都必須自帶更新功能,所以需要配備遠(yuǎn)程條件下的固件更新功能。
LAPIS Technology充分運(yùn)用在智能儀表領(lǐng)域擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的無(wú)線技術(shù),解決了上述問(wèn)題,并成功開發(fā)出便于全世界推廣、且更為安全的Mesh網(wǎng)絡(luò)建設(shè)新產(chǎn)品。
新產(chǎn)品搭載了可高速運(yùn)行的32位CPU內(nèi)核“Arm®Cortex®-M3”,以及堪稱無(wú)線通信LSI業(yè)內(nèi)超高容量級(jí)別的1024KB內(nèi)存。
全球最小金屬電流感測(cè)電阻 - PA0100 (01005尺寸, 0.4mm x 0.2mm)。
國(guó)巨公司多年來(lái)致力于產(chǎn)品及技術(shù)之創(chuàng)新,此新產(chǎn)品的問(wèn)世突顯出其領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)能力,實(shí)現(xiàn)對(duì)客戶小尺寸需求的承諾。
機(jī)械精密加工工藝已無(wú)法滿足微小化與低精密公差規(guī)格需求,國(guó)巨利用半導(dǎo)體多項(xiàng)工藝制程完成開發(fā)實(shí)現(xiàn)微小化高精密電流感測(cè)器,微小尺寸精密公差是此制程的挑戰(zhàn)。
這款產(chǎn)品還具有多達(dá)四個(gè)高邊開關(guān)(典型值7Ω),五個(gè)喚醒輸入,六個(gè)PWM輸入和監(jiān)控功能,非常完善。
類型描述類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel®零件狀態(tài)在售FET 類型P 通道技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)295 毫歐 @ 4A,10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μAVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)3.7W(Ta),52W(Tc)工作溫度-50°C ~ 150°C(TJ)安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝PowerPAK® 1212-8封裝/外殼PowerPAK® 1212-8漏源電壓(Vdss)150 V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)42 nC @ 10 V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1190 pF @ 50 V基本產(chǎn)品編號(hào)SI7115
另外,在日本國(guó)內(nèi),隨著相關(guān)法律法規(guī)的修訂,要求自2020年4月起,所有IoT設(shè)備都必須自帶更新功能,所以需要配備遠(yuǎn)程條件下的固件更新功能。
LAPIS Technology充分運(yùn)用在智能儀表領(lǐng)域擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jī)的無(wú)線技術(shù),解決了上述問(wèn)題,并成功開發(fā)出便于全世界推廣、且更為安全的Mesh網(wǎng)絡(luò)建設(shè)新產(chǎn)品。
新產(chǎn)品搭載了可高速運(yùn)行的32位CPU內(nèi)核“Arm®Cortex®-M3”,以及堪稱無(wú)線通信LSI業(yè)內(nèi)超高容量級(jí)別的1024KB內(nèi)存。
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