高輸出功率均勻地分布于整個(gè)FOI的尖峰和脈沖影響
發(fā)布時(shí)間:2021/7/11 14:46:17 訪問次數(shù):294
高輸出功率均勻地分布于整個(gè)FOI,具有很高的信噪比并提供高質(zhì)量圖像,因此能夠盡可能減少應(yīng)用環(huán)境所需的照明器數(shù)量。
我們的解決方案還具有出色的熱性能,可確保在所有溫度下穩(wěn)定運(yùn)行而不會(huì)損失光功率,并且無需其他散熱措施。利用TARA2000-AUT,汽車制造商可以開發(fā)出系統(tǒng)成本更低而性能更佳的車內(nèi)傳感器。
大規(guī)模晶圓級(jí)光學(xué)元件,汽車制造商可以信賴艾邁斯半導(dǎo)體的VCSEL照明器垂直集成制造模式,無需依賴第三方來獲得其產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動(dòng)器 產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 激勵(lì)器數(shù)量:2 Driver 輸出端數(shù)量:2 Output 電源電壓-最小:- 0.3 V 上升時(shí)間:50 ns 下降時(shí)間:30 ns 最小工作溫度:- 45 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 技術(shù):Si 商標(biāo):STMicroelectronics 邏輯類型:CMOS, TTL 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:25 mA 工作電源電壓:15.6 V Pd-功率耗散:750 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:80 mg
這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量,可用于48V汽車板網(wǎng)(如輕度混合動(dòng)力和EV汽車)和其他更高電壓的電路,這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響,以前的50 V器件無法處理。
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻,RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
SOT363封裝還提供雙RET(兩個(gè)晶體管和兩個(gè)匹配偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻), Ptot為350 mW,可實(shí)現(xiàn)更高集成度并節(jié)省更多成本。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
高輸出功率均勻地分布于整個(gè)FOI,具有很高的信噪比并提供高質(zhì)量圖像,因此能夠盡可能減少應(yīng)用環(huán)境所需的照明器數(shù)量。
我們的解決方案還具有出色的熱性能,可確保在所有溫度下穩(wěn)定運(yùn)行而不會(huì)損失光功率,并且無需其他散熱措施。利用TARA2000-AUT,汽車制造商可以開發(fā)出系統(tǒng)成本更低而性能更佳的車內(nèi)傳感器。
大規(guī)模晶圓級(jí)光學(xué)元件,汽車制造商可以信賴艾邁斯半導(dǎo)體的VCSEL照明器垂直集成制造模式,無需依賴第三方來獲得其產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。
制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動(dòng)器 產(chǎn)品:Half-Bridge Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 激勵(lì)器數(shù)量:2 Driver 輸出端數(shù)量:2 Output 電源電壓-最小:- 0.3 V 上升時(shí)間:50 ns 下降時(shí)間:30 ns 最小工作溫度:- 45 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 技術(shù):Si 商標(biāo):STMicroelectronics 邏輯類型:CMOS, TTL 濕度敏感性:Yes 工作電源電流:25 mA 工作電源電壓:15.6 V Pd-功率耗散:750 mW 產(chǎn)品類型:Gate Drivers 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:80 mg
這些新的RET或“數(shù)字晶體管”提供了足夠的余量,可用于48V汽車板網(wǎng)(如輕度混合動(dòng)力和EV汽車)和其他更高電壓的電路,這些電路經(jīng)常受到較大的尖峰和脈沖影響,以前的50 V器件無法處理。
通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻,RET可以節(jié)省空間并降低制造成本。
SOT363封裝還提供雙RET(兩個(gè)晶體管和兩個(gè)匹配偏置電阻和偏置發(fā)射極電阻), Ptot為350 mW,可實(shí)現(xiàn)更高集成度并節(jié)省更多成本。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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