高壓功率模塊隨著時間的推移而增加的導(dǎo)通電阻
發(fā)布時間:2021/7/13 7:27:34 訪問次數(shù):574
與硅相比，碳化硅可以實現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料。
在當(dāng)前的碳化硅封裝中，功率密度提高以及開關(guān)頻率都會導(dǎo)致焊接性能劣化，很難抑制芯片中隨著時間的推移而增加的導(dǎo)通電阻。
雖然目前主要應(yīng)用于火車的逆變器上，但是很快將被廣泛用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和汽車設(shè)備等高壓應(yīng)用。
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要問題。在高壓功率模塊中的應(yīng)用不僅是半導(dǎo)體芯片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。
制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFET技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8FL晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:37 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:8.6 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:7.3 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:28 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single晶體管類型:1 N-Channel商標(biāo):ON Semiconductor正向跨導(dǎo) - 最小值:33 S下降時間:2 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:43 ns1500子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:11 ns典型接通延遲時間:7 ns單位重量:187 mg
暖通空調(diào)
安全系統(tǒng)
樓宇自動化系統(tǒng)
工業(yè)設(shè)備（可編程邏輯控制器、I/O接口和各種傳感器控制等）
取代機(jī)械式繼電器
特性：
1-Form-B
行業(yè)最高導(dǎo)通額定電流：ION＝1.2A
小型封裝：DIP6
高額定工作溫度：Topr（最大值）＝110℃
與硅相比，碳化硅可以實現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料。
在當(dāng)前的碳化硅封裝中，功率密度提高以及開關(guān)頻率都會導(dǎo)致焊接性能劣化，很難抑制芯片中隨著時間的推移而增加的導(dǎo)通電阻。
雖然目前主要應(yīng)用于火車的逆變器上，但是很快將被廣泛用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和汽車設(shè)備等高壓應(yīng)用。
可靠性是碳化硅器件使用受限的主要問題。在高壓功率模塊中的應(yīng)用不僅是半導(dǎo)體芯片，封裝本身也必須具備高度的可靠性。
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特性：
1-Form-B
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小型封裝：DIP6
高額定工作溫度：Topr（最大值）＝110℃
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