16位的位置測量值和溫度值約100MTR/平方毫米的密度
發(fā)布時間:2021/7/13 13:19:53 訪問次數(shù):816
MLX90392 集成有溫度傳感器并采用 I2C 通信協(xié)議,可在工作頻率高達(dá) 1 MHz 的 I2C 總線上提供 16 位的位置測量值(用 X,Y,Z 坐標(biāo)表示)和溫度值。
該傳感器芯片有兩種型號,可選擇 ±50 mT 和 ±5 mT 滿量程,利用 Melexis 榮獲專利的 Triaxis® 霍爾技術(shù)實現(xiàn)低噪聲與超高精度。
兩種型號都支持單次測量和連續(xù)測量模式,極具設(shè)計靈活性。自檢狀態(tài)、數(shù)據(jù)就緒和磁傳感器溢出指示可提供全方位的診斷。
產(chǎn)品種類: 射頻收發(fā)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Sub-GHz
頻率范圍: 119 MHz to 1050 MHz
最大數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s
調(diào)制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
電源電壓-最小: 1.8 V
電源電壓-最大: 3.6 V
接收供電電流: 10 mA, 13 mA
傳輸供電電流: 70 mA, 85 mA
輸出功率: 20 dBm
接口類型: SPI
封裝 / 箱體: QFN-20
封裝: Tray
靈敏度: - 126 dBm
系列: SI4463
技術(shù): Si
商標(biāo): Silicon Labs
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最大工作頻率: 1050 MHz
產(chǎn)品類型: RF Transceiver
工廠包裝數(shù)量: 490
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標(biāo)名: EZRadioPRO
單位重量: 16.490 mg
3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm,先進(jìn)節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大,擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000〜120,000個晶圓啟動(WSPM)分析師估計,臺積電的N5晶體管密度約為每平方毫米1.7億個晶體管(MTr / mm 2),如果準(zhǔn)確的話,它是當(dāng)今可用的最密集的技術(shù)。
相比之下,三星Foundry的5LPE的晶體管密度介乎125 MTR /平方毫米〜130 MTR /平方毫米之間,而Intel的10納米設(shè)有一個約100 MTR /平方毫米的密度。
N4將利用N5的強大基礎(chǔ)來進(jìn)一步擴展我們的5 nm系列,為下一波5納米產(chǎn)品提供了進(jìn)一步的性能,功率和密度增強。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
MLX90392 集成有溫度傳感器并采用 I2C 通信協(xié)議,可在工作頻率高達(dá) 1 MHz 的 I2C 總線上提供 16 位的位置測量值(用 X,Y,Z 坐標(biāo)表示)和溫度值。
該傳感器芯片有兩種型號,可選擇 ±50 mT 和 ±5 mT 滿量程,利用 Melexis 榮獲專利的 Triaxis® 霍爾技術(shù)實現(xiàn)低噪聲與超高精度。
兩種型號都支持單次測量和連續(xù)測量模式,極具設(shè)計靈活性。自檢狀態(tài)、數(shù)據(jù)就緒和磁傳感器溢出指示可提供全方位的診斷。
產(chǎn)品種類: 射頻收發(fā)器
RoHS: 詳細(xì)信息
類型: Sub-GHz
頻率范圍: 119 MHz to 1050 MHz
最大數(shù)據(jù)速率: 1 Mb/s
調(diào)制格式: 4-FSK, 4-GFSK, ASK, FSK, GFSK, GMSK, MSK, OOK
電源電壓-最小: 1.8 V
電源電壓-最大: 3.6 V
接收供電電流: 10 mA, 13 mA
傳輸供電電流: 70 mA, 85 mA
輸出功率: 20 dBm
接口類型: SPI
封裝 / 箱體: QFN-20
封裝: Tray
靈敏度: - 126 dBm
系列: SI4463
技術(shù): Si
商標(biāo): Silicon Labs
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
最大工作頻率: 1050 MHz
產(chǎn)品類型: RF Transceiver
工廠包裝數(shù)量: 490
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
商標(biāo)名: EZRadioPRO
單位重量: 16.490 mg
3nm,4nm / 5nm和6nm / 7nm,先進(jìn)節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴大,擴大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000〜120,000個晶圓啟動(WSPM)分析師估計,臺積電的N5晶體管密度約為每平方毫米1.7億個晶體管(MTr / mm 2),如果準(zhǔn)確的話,它是當(dāng)今可用的最密集的技術(shù)。
相比之下,三星Foundry的5LPE的晶體管密度介乎125 MTR /平方毫米〜130 MTR /平方毫米之間,而Intel的10納米設(shè)有一個約100 MTR /平方毫米的密度。
N4將利用N5的強大基礎(chǔ)來進(jìn)一步擴展我們的5 nm系列,為下一波5納米產(chǎn)品提供了進(jìn)一步的性能,功率和密度增強。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)