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新型原位半導(dǎo)體計量帶有集成等離子體電離源的新架構(gòu)

發(fā)布時間:2021/7/17 7:09:47 訪問次數(shù):250


Aston是一個創(chuàng)新型原位半導(dǎo)體計量平臺,帶有集成等離子體電離源。

Aston是半導(dǎo)體生產(chǎn)計量領(lǐng)域中的一次重大演變,實現(xiàn)了原位分子過程控制,使現(xiàn)有工廠運行更高效,并可推動產(chǎn)出提升。

通過Aston,某些應(yīng)用中的單位工藝吞吐量可以提升40%以上,這是一個很大的改進。對于一家典型的晶圓廠來說,即使整體產(chǎn)能提高1%,每年的產(chǎn)量也能增加價值數(shù)千萬美元。

這將從本質(zhì)上幫助制造商提高其生產(chǎn)水平,并有助于解決目前半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能不足的問題。

制造商:TT Electronics 產(chǎn)品種類:線繞電阻器 - 底架安裝 系列:WH 電阻:330 Ohms 功率額定值:50 W 容差:5 % 溫度系數(shù):25 PPM / C 電壓額定值:1.25 kV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 200 C 端接類型:Solder Lug 長度:51 mm 寬度:30 mm 高度:16 mm 封裝:Bulk 特點:Aluminum Housed Resistors 工作溫度范圍:- 55 C to + 200 C 產(chǎn)品:Aluminum Housed Resistors 技術(shù):Wirewound 商標(biāo):Welwyn Components / TT Electronics 安裝風(fēng)格:Chassis Mount 產(chǎn)品類型:Wirewound Resistors 工廠包裝數(shù)量:200 子類別:Resistors 單位重量:29 g

快速、可操作的端點檢測(EPD)是運行半導(dǎo)體工具和晶圓廠的最有效方式。到目前為止,許多工藝步驟都無法部署EPD,因為所需的原位傳感器不能經(jīng)受住苛刻的工藝或腔室清潔化學(xué)品的影響,或者會因冷凝水沉積而出現(xiàn)堵塞。

Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)的問世是高功率市場的一個重要里程碑。此項創(chuàng)新技術(shù)可以消除目前限制系統(tǒng)性能的障礙,并支持采用以前無法實現(xiàn)的新架構(gòu)。

客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


Aston是一個創(chuàng)新型原位半導(dǎo)體計量平臺,帶有集成等離子體電離源。

Aston是半導(dǎo)體生產(chǎn)計量領(lǐng)域中的一次重大演變,實現(xiàn)了原位分子過程控制,使現(xiàn)有工廠運行更高效,并可推動產(chǎn)出提升。

通過Aston,某些應(yīng)用中的單位工藝吞吐量可以提升40%以上,這是一個很大的改進。對于一家典型的晶圓廠來說,即使整體產(chǎn)能提高1%,每年的產(chǎn)量也能增加價值數(shù)千萬美元。

這將從本質(zhì)上幫助制造商提高其生產(chǎn)水平,并有助于解決目前半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能不足的問題。

制造商:TT Electronics 產(chǎn)品種類:線繞電阻器 - 底架安裝 系列:WH 電阻:330 Ohms 功率額定值:50 W 容差:5 % 溫度系數(shù):25 PPM / C 電壓額定值:1.25 kV 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 200 C 端接類型:Solder Lug 長度:51 mm 寬度:30 mm 高度:16 mm 封裝:Bulk 特點:Aluminum Housed Resistors 工作溫度范圍:- 55 C to + 200 C 產(chǎn)品:Aluminum Housed Resistors 技術(shù):Wirewound 商標(biāo):Welwyn Components / TT Electronics 安裝風(fēng)格:Chassis Mount 產(chǎn)品類型:Wirewound Resistors 工廠包裝數(shù)量:200 子類別:Resistors 單位重量:29 g

快速、可操作的端點檢測(EPD)是運行半導(dǎo)體工具和晶圓廠的最有效方式。到目前為止,許多工藝步驟都無法部署EPD,因為所需的原位傳感器不能經(jīng)受住苛刻的工藝或腔室清潔化學(xué)品的影響,或者會因冷凝水沉積而出現(xiàn)堵塞。

Integra的100V射頻氮化鎵技術(shù)的問世是高功率市場的一個重要里程碑。此項創(chuàng)新技術(shù)可以消除目前限制系統(tǒng)性能的障礙,并支持采用以前無法實現(xiàn)的新架構(gòu)。

客戶最終可以受益于更小的系統(tǒng)占用空間和更低的系統(tǒng)成本。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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